8第三章 第二节 霍尔传感器.pptVIP

若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cosθ，因此 UH=KHIBcosθ 3）P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在霍尔效应，但极性和N型半导体的相反。 4）霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比，只要测出UH ，那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。 国产霍尔元件型号的命名方法 二、主要技术指标 1、额定控制电流IC和最大控制电流ICm 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流IC。在相同的磁感应强度下，IC值较大则可获得较大的霍尔输出。 霍尔元件限制IC的主要因素是散热条件。 一般锗元件的最大允许温升ΔTm80℃，硅元件的ΔTm175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的IC就是最大控制电流ICm 。 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位控制电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V（AT），它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。 3、输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0和室温（20 5）℃时，用欧姆表等测量。 （一）采用恒流源提供控制电流 对于上图所示的基本测量电路， 设温度由T增加到T+ΔT， 因霍尔片的电子浓度n增加，从而使霍尔元件的乘积灵敏度由 KH减小到KH（1－αΔT）， 其中α是KH的温度系数。 另一方面霍尔元件输入电阻由Ri减小到 Ri （1－βΔT）。其中β是Ri的温度系数。 输入电阻的变化将使控制电流由IC变为IC＋ΔIC， 此时霍尔电势将由UH＝KHICB变为 UH ＋Δ UH ＝KH （1－αΔT）（IC＋ΔIC ）B。 要使Δ UH ＝0，必须IC ＝ （1－αΔT） （IC＋ΔIC ） 要满足IC ＝ （1－αΔT） （IC＋ΔIC ），为此采用上图所示的电源为恒流源的测量电路，电路中并联一个起分流作用的补偿电阻R。根据上图可得 （二）合理选择负载电阻 如上图所示，若霍尔电势输出端接负载电阻RL，则当温度为T时，RL上的电压可表示为： 当温度由T变为T+ΔT时，则RL上的电压变为 （三）采用热敏元件 对于由温度系数较大的半导体材料（如锑化铟）制成的霍尔元件，常采用右图所示的温度补偿电路，图中Rt是热敏元件（热电阻或热敏电阻）。 图（a）是在输入回路进行温度补偿电路，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔元件的乘积灵敏度KH和输入电阻Ri变化对霍尔输出电势UH的影响。 （一）基本补偿电路 霍尔元件的不等位电势补偿电路有多种形式，图9－7为两种常见电路，其中RW是调节电阻。 基本补偿电路没有考虑温度变化的影响。当温度发生变化，需要重新进行平衡调节。 （二）具有温度补偿的补偿电路 右图是一种常见的具有温度补偿的不等位电势补偿电路。该补偿电路本身也接成桥式电路，其工作电压有霍尔元件的控制电压提供；其中一个为热敏电阻Rt，并且于霍尔元件的等效电阻的温度特性相同。 在该电桥的负载电阻RP2上取出电桥的部分输出电压（称为补偿电压），与霍尔元件的输出电压反向串联。在磁感应强度B为零时，调节RP1和RP2，使补偿电压抵消霍尔元件此时输出的不等位电势，从而使B＝0时的总输出电压为零。 在霍尔元件的工作温度下限T1时，热敏电阻的阻值为Rt（T1）。电位器RP2保持在某一确定位置，通过调节电位器的RP1来调节补偿电桥的工作电压，使补偿电压抵消此时的不等位电势UML，此时的补偿电压称为恒定补偿电压。 当工作温度T1升高到T1 ＋ΔT时，热敏电阻的阻值为Rt（T1 ＋ΔT ）。RP1保持不变，通过调节RP2，使补偿电压抵消此时的不等位电势UML ＋ΔUM。此时的补偿电压实际上包含了两个分量，一个是抵消工作温度为T1时的不等位电势UML的恒定补偿电压分量，另一个是抵消工作温度升高ΔT时的不等位电势的变化量ΔUM的变化补偿电压分量。 根据上述讨论可知，采用桥式补偿电路，可以在霍尔元件的整个温度范围内对不等位电势进行良好的补偿，并且对不等位电势的恒定部分和变化部分的补偿可独立地进行调节。所以，可达到相当高的补偿精度。 霍尔式传感器举例 一、将被测量转换为磁感应强度B 保持霍尔元件的控制电流I恒定不变，就可测量磁感应强度B，以及位移、角度等可直接转换为B的物理量，进一步还可以测量先转换成位移或角度、然后间接转换为B的物理量，如振动、压力、速度、加速度、转速等等。 下面以霍尔式压力传感器为例进行说明。 霍尔式压力传感器由两部分组成：一部分是弹性敏感元件的波登管用以感受压力P，并将P转换为弹性元件的位移量x，即x＝KPP，其中系数KP为常数。