二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件李卫胜周健-物理学报.PDF

二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件 李卫胜 周健 王瀚宸 汪树贤 于志浩 黎松林 施毅 王欣然 Logicalintegrationdevicefortwo-dimensionalsemiconductortransition metal sulfide LiWei-Sheng ZhouJian WangHan-Chen WangShu-Xian YuZhi-Hao LiSong-Lin ShiYi Wang Xin-Ran 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,218503(2017) DOI: 10.7498/aps.66.218503 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.218503 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I21 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于双极性二维晶体的新型p-n结 Novelp-njunctionsbasedonambipolartwo-dimensional crystals 物理学报.2017,66(21): 217302 /10.7498/aps.66.217302 ZnSe量子点敏化纳米TiO 薄膜光电子特性研究 PhotoelectroncharacteristicsofZnSequantumdots-sensitizedmesoporous La-doped nano-TiO film 物理学报.2017,66(6): 067301 /10.7498/aps.66.067301 不同退火温度下氧化锌薄膜可见发光与n型导电研究 Investigation on visible emission and n-type conductivity of ZnO thin films annealed at different tempera- tures 物理学报.2013,62(17): 176801 /10.7498/aps.62.176801 原子层沉积法生长ZnO 的性质与前驱体源量的关系研究 InvestigationontherelationshipbetweenthepropertiesofatomiclayerdepositionZnOfilmandthedose ofprecursor 物理学报.2013,62(14): 147306 /10.7498/aps.62.147306 光伏型碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的两种不同过饱和现象的产生机理 Generation mechanism of two different over-saturation phenomena of photovoltaic HgCdTe detectors irradiatedbyCWband-inlaser 物理学报.2013,62(9): 097303 /10.7498/aps.62.097303 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 21 (2017) 218503 专题: 与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究 二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件 李卫胜 周健 王瀚宸 汪树贤 于志浩 黎松林 施毅 王欣然 (南京大学电子科学与工程学院, 固体微结构国家重点实验室, 人工微结构科学与技术协同创新中心, 南京 210093) ( 2017 年9 月11 日收到; 2017 年10 月3 日收到修改稿) 微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50 年, 正面临着高功耗等挑战. 二维层状材料可以将载流子限制在 界面1 nm 的空间内, 部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点, 有望给“后摩尔时代” 微电子 器件带来新的技术变革. 其中, 以MoS 为代表的过渡金属硫化物具有1—2 eV 的带隙、良好的空气稳定性和 工艺兼容性, 在逻辑集成方面有巨大潜力. 本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展, 重 点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状, 并为今后的发展指