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摘要
摘 要
本论文通过扩展X．射线吸收精细结构(EXAFS)对电沉积法制备的铜铟硒薄
膜的局域结构展开研究，取不同的Cu／In比和不同的硒化温度两组样品CuK边
的EXAFS谱图进行对比，通过一系列的数据处理和分析，得出Cu原子周围的
配位情况，优化电沉积及硒化过程的工艺参数。
学共沉积法代替传统的物理研磨法来制备ZnO．A1203混合粉体，实现分子水平
的掺杂，使Al原子在制备的溅射靶材中，能很好地固溶进ZnO纤锌矿晶格中。
用脉冲激光沉积系统沉积制备ZnO：AI(AZO)薄膜，并探索衬底温度和氧分压对
薄膜性能的影响。通过XRD、紫外可见分光光度计和Hall测试系统等多种手段
对AZO薄膜的结晶性及光电性能进行表征，并与传统物理研磨法制备的薄膜性
能参数进行了对比。
对三种尺寸纳米晶锐钛矿Ti02的氧同位素交换结果作了拉曼分析。Ti02晶
格中的部分160替换为180，通过室温拉曼和变温拉曼研究其内部晶格振动的机
制。 ．
关键词：铜铟硒薄膜太阳电池扩展X．射线吸收精细结构掺铝氧化锌化学共
沉淀脉冲激光沉积纳米晶二氧化钛氧同位素效应拉曼光谱
Abstract
Abstract
Thelocalstructuresof films
preparedbyone·step
CuLqSe2(CIS)precursor
werecharacterizedextend finestrIJcture
electrodeposition by X—rayadsorption
(EXAFS)．Two ofdifferentCu／Inratioanddifferentselenization
groupsamples
weFestudied attheK ofCuhas
temperatures respectively．EXAFS been
edges
measured．Theofthe datawas andthe
Cu
analysis K—edgeabsorption performed
localstructureofCuatomWasobtained．Theresultscanbeusedto the
optimize
conditionsof andtheselenization
electrodeposition process．
filmshavebeen usedasawindowfor
AI-dopedZnO(AZO)thin widely layer
solar orderto AZO
CnInSe2／CdS／ZnO／ZnO：A1cells，In films，
growhi曲一quality
the chemical methodwas to
liquidphase coprecipitation adoptedsynthesize
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