微机原理第4章8041824189.ppt

表4-11 CPU 20条地址线接法(部分译码法) 表4-5 2816A的工作方式 表4-6 2817A的工作方式 2816/2816A在引脚上与2716/6116兼容，引脚数为24脚。2816在单一＋5?V电源下边擦除边写入，由于写入时间较长，既可以在6116 RAM插座上用数据传送方式写入，又可以在2716 EPROM的编程器插座上用写入2716的方式写入。写完后可直接取代2716 EPROM。 Intel 2864A是8K×8位E2PROM芯片，读出时间为200～350ns，字节编程写入时间为10～20ns，维持电流为60mA。其引脚图和操作方式分别如图4-23和表4-7所示。Intel 2864A使用28脚双列直插封装，有地址线13条、数据线8条、控制线及电源线5条、2条空脚。 图4-23 Intel 2864A的引脚 表4-7 2864A的操作方式 13条地址线A0～A12用于选择8K字中一个存储单元。8条数据线I/O0～I/O7在CPU正常操作中用作读出字节数据；在编程写入时用作传送要写入存储单元的数据。3条控制线的编码决定了2864A的4种操作方式。当片选信号CE为高电平时，无论OE和WE是什么电平，芯片都将与外电路断开，I/O0～I/O7呈高阻状态，芯片处于“维持不变”的状态。 当CE和OE都为低电平有效时，若WE高电平，则CPU处于“读出”操作或“数据查询”操作，8位二进制代码从I/O0～I/O7送至CPU的数据总线，让CPU读出数据。“读出”是指CPU在读操作指令指挥下，从存储单元之中取出数据并送往CPU内部寄存器的全过程。“数据查询”也是一种读方式，和“读出”不同的是：它用软件程序检查写入操作过程中的“页存储”周期是否已经完成。两种不同的“读”方式用不同指令区分开。当CE和WE都为低电平有效时，如果OE为高电平，则芯片处于写入方式。写入方式分为字节写入和页面写入两种。“字节写入”时以字节为单位编程写入，“页面写入”时以页为单位进行。 4.3.4 Flash Memory Flash存储器是Intel公司上世纪80年代末期推出的一种新型存储器，整体电擦除时间约为1?s，每字节编程写入速度为10～100μs，比EPROM快一个数量级，比E2PROM快3个数量级(E2PROM整体擦除约需15～20分钟)，擦除次数可达10万次，形成Flash存储器的CMOS器件功耗低，最大工作电流为30?mA。其在工作中具有极强的抗干扰能力，甚至允许电源发生10％的波动。 Flash存储器的基本存储电路由一只CMOS管构成，如图4-24所示。依旧使用浮空栅极FG上有无电荷代表0和1。栅极为字线，漏极为位线，源极为源线。擦除原理为：在字线栅极上加高电平，源、漏之间形成导电沟道，浮空栅极上有感应电荷，这种稳定状态代表0或1；如果字线栅极上无高电平，源、漏间没有导电沟道，浮空栅极上无感应电荷，这种稳定状态代表1或0。状态转换过程十分简单，如果有导电沟道存在，则浮空栅极上有感应电荷，这时只需撤走源、漏之间电压，而在源栅之间加一正向电压，导电沟道即消失，浮空栅上的感应电荷也消失。据测定，正常使用情况下，浮空栅上编程的电荷可以保持100年而不丢失。 表4-8列出了Flash存储器与DRAM之间的对比，除读取速度略低于DRAM外，Flash其余各项指标均优于DRAM。常用的Flash存储器有28F256?(32K×8)、28F512?(64K×8)、28F010?(128K×8)、28F020?(256K×8)、28F004?(4M位)、28F008?(8M位)、28F016?(16M位)、28F032?(32M位)等。使用时带电插拔、即插即用，十分方便。运行环境仅为Windows 98/ME/2000/XP以及Linux 2.4操作系统，符合USB1.1标准。 图4-24 Flash基本存储电路 表4-8 Flash与DRAM比较 4.4 Cache和SB SRAM 80486已把 Cache集成在CPU内。Pentium机开始使用2级Cache。第1级由SRAM集成在CPU内，能和CPU内部寄存器有几乎相同的存取速度；第2级在CPU外，通常使用SB SRAM组成。SB SRAM是同步突发静态随机存储器的简称。它的基本存储电路、存储体矩阵结构、地址译码电路都和普通 SRAM相同。此外，它增加了同步突发控制逻辑、片内地址计数器、总线控制逻辑等功能电路。其内部结构如图4-25所示。 图4-25 SB SRAM内部结构 SB SRAM由5个功能部件组成，它们是： (1)