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B位接杂对(Pb,Ca)(Fe ,Nb ,)O,简瓷徽波介电性能的影响/卞建江等 ·155 ·
B位掺杂对((Pb，Ca)(Fe,,i2Nbl/Z)03陶瓷微波介电性能的影响
卞建江 钟永责 王晓式 王 鸿
上‘海大学电子信息材料系.上海201800)
摘要 研究了B位分$11修杂sn+.Zr+,Ge`神(Pb,. Ca,. )(Fe ,Nb,n)O,(PCFN)响充的烧结行为、徽观结
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构及推波介电性能的影响.实脸结果表明.挤杂样品晚在相什杖低的沮度下烧结(12000C(2h).B位大半径离子的络入
使介电常数降长，适全的B往修杂能不同祖度的改进PCFN峋瓷的蛛合徽波介电性能。用这种材朴傲成的带通涛波 l
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器在中心粼率为928.4MHz下，播入报耗为2.469dB满足擂入捅耗应小于3dB的要求 在移动通信中有老实际应用 月 .
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关性诵 PCFN .彼介质 介电相耗 l
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Ce,Zr样品的体密度却随掺杂量的增加而降低 当拾杂量为 t 吸
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0 引言
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