集成电路的封装工艺与技术..pptxVIP

集成电路 封装工艺与技术 韩 焱 CONTENT 封装材料 ·金属 ·陶瓷 ·塑料 工艺流程 ·FOL ·EOL 封装技术 ·TSOP ·BGA ·CSP 封装材料 金属封装材料 陶瓷封装材料 塑料封装材料 金属封装材料 金属的热导率和强度较高、加工性能好，因此较早被运用到封装材料中。 传统金属 Al和Cu 热导率高、易加工，但热膨胀系数与硅相差较大，器件因较大热应力而失效。 W 热导率高、热膨胀系数与硅相近，但与硅的浸润性差、焊接性差，且成本较高。 新型金属 Si-Al-C合金 提高硅含量，可降低热膨胀系数和合金密度；硅颗粒较小时，合金的抗弯曲强度高。 Cu-C 纤维纵向热导率高，热膨胀系数很小，因此具有优异的热性能，且有明显的各向异性。 陶瓷封装材料  陶瓷封装材料主要包括：Al2O3、SiC以及AlN三种，Al2O3是目前应用最成熟的陶瓷封装材料。 Al2O3 优点：有好的绝缘性，好的化学稳定性和力学性能，价格低 缺点：热膨胀系数和介电常数比硅高，且热导率较低，限制其在高频、高功率封装领域的应用 SiC 优点：热导率很高，热膨胀系数较低，电绝缘性能好，强度高。 缺点：介电常数太高，只能用于低频封装 AlN 优点：电性能和热性能优良，可用于高功率、大尺寸封装 缺点：制备工艺复杂，成本高昂 应用领域 陶瓷封装耐湿性好、机械强度高，热膨胀系数小、热导率高