CMOS器件X射线与γ射线辐照效应异同性.pdfVIP

CMOs器件X射线与Y射线辐照效应异同性 何承发 吾勤之 巴维真 陈朝阳 安金霞 (中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐139信箱 830011) 摘要 本文简迷了研究CMOs器件器件在低能X射线和coY射线辐照下问电压镇移娜移 的异同性。介绍了低能X射线、Y射线的辐照剂a及器件阴电压镶移的浏试方注。结 果表明在p管截止这种最劣辐照偏里下，x射线产生的阅电压漂移比co丫射线大9倍。 关妞词:CMOs册件 X射线 Y射线 剂全增强 引言 在航天国防领域中，为了提高电子系统中的集成电路的性能、速度及可靠性， 在器件芯片的制作中引入了重金属工艺，用于金属化层及封装等结构中.器件中的 的这些高原子序数材料在低能x射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产 生剂盘增强效应，使器件性能严重退化(1J.但是由于x射线辐照装盆的能谱、剂 且测盘比较困难，通常器件的总剂量辐照效应试脸都在的W丫辐照场中进行.本文 采用CC4069六反向器为样品，在中科院高能所同步辐射中心，进行了器件低能X射 线辐照效应试验.井与C0丫射线的结果进行了比较。 2剂且测且 2.1 同步辐射光剂f监侧 中科院高能所同步辐射中心3WIA站能够提供能量从0.01-100keV的连续谱 x射线，并提供了准确的能谱。射线强度采用充组气的电离室在线监侧。 本项目将同步辐射中心提供的充气电离室送交中国计量科学研究院标准X射 线辐射场中进行了标定，用该电离室监测了同步辐射辐照累积剂盆。标定时荆I单 位为空气照射t，必须换算到硅吸收剂it. 辐照时在出束口处加一层厚100微米的铅过滤片，可将10keV以下光子全部 滤除，谱的峰值在40keV左右。由于X射线穿透能力较弱，在计算吸收加2时还 对器件表面100徽米的被釜Kovar封装盖进行了衰减修正.如图1所示，将经过100 徽米的Kovar材料前后的谱面积积分，并将其比值乘以监测电离室测量剂里，即可 得出器件芯片接收的实际辐照剂量. 100二Kovar衰减后谱面积 即:芯片接收剂皿= x电离室监测结果 100umKovar衰减前诺面积 jJ益盆幽狄必注三j二二 屯余 织一 何承发吾勤之 巴维真等:CMOs器件X射线与，射线辐照效应异同性 格 产 J 么 价 言 记 ‘ 图1.同步辐射原始谱及经过铅、Kovar合金衰减后能谱 2.2CoY射线剂量监测 Y射线的辐照试验在新强物理研究所 1X10`5Bq代。辐照源进行。该辐射场 及升降源剂量均采用硅量热计进行了标定，标定结果为硅吸收剂量。辐照时选用与 X射线辐照剂量率相当的辐照位置即可. 3 器件参数测试方法 本工作试验样品采用用户提供的CC4069六反相器。X射线辐照试验中只施 加了工作模式偏置。在CoY辐照时将六个反相器分别连接成工作模式、全部管脚 接地及全部管脚开路悬空等三种辐照偏置方式. 其中在工作模式辐照试验中，将三个反相器的输入端接高电平，另三个输入 端接低电平，这样在一次辐照中便可以得到N管导通、截止，F管截止、导通四种 辐照偏置状态。 本工作还进行了器件封装盖面向辐照源及背面衬底面向辐照源两种方向的辐 照试验。 MOSFET的参数测量是在辐照后离线 10分钟内完成.测量方法为:在漏源端 施加++IOY漏源电压(Vds)，在栅极以0.3V/s的速率施加幅度为10伏的三角斜波电 压，同时用计算机控制的Keithley619静电计同时采集器件的栅极电压(Vgs