透明导电GZOCuGZO多层薄膜的室温生长及性能研究.PDFVIP

２１４ 　西安理工大学学报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（２０１１）Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．２　 　　文章编号：１００６４７１０（２０１１）０２０２１４０５ 透明导电ＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯ多层薄膜 的室温生长及性能研究 别勋，王钰萍，吕建国，叶志镇 （浙江大学 硅材料国家重点实验室，浙江 杭州３１００２７） 摘要：研究Ｇａ掺杂ＺｎＯ（ＧＺＯ）和Ｃｕ薄膜形成的ＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯ多层薄膜体系，以期提高透明导电 薄膜的综合性能。ＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯ多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备，研究Ｃｕ层厚度对 多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明ＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯ多层薄膜具有较好的结晶性能。 随着Ｃｕ层厚度的增加，多层薄膜的可见光透射率有所降低，同时电学性能大幅度提升。在 Ｃｕ层 厚度为７．５ｎｍ时，ＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯ多层薄膜获得最优的光电综合性能指标，且相对于单层ＧＺＯ薄膜 因子从７．６５×１０－５ －１增加到１．４８×１０－３ －１。 ΦＴＣ Ω Ω 关键词：ＺｎＯ；多层薄膜；透明导电；磁控溅射 中图分类号：ＴＮ３０４．２　　　文献标志码：Ａ  ＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ． ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯＭｕｌｔｉｌａｙｅｒＴｈｉｎＦｉｌｍｓ ＢＩＥＸｕｎ，ＷＡＮＧＹｕｐｉｎｇ，ＬＪｉａｎｇｕｏ，ＹＥＺｈｉｚｈｅｎ （ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｉｌｉｃｏｎＭａｔｅｒｉａｌｓ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， ＺｈｅｊｉａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ３１００２７，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｔｈｉｎｆｉｌｍｓｙｓｔｅｍｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇｏｆＧａｄｏｐｅｄＺｎＯ（ＧＺＯ）ａｎｄＣｕｌａｙｅｒｓｉｓｓｔｕｄｉｅｄｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．ＴｈｅＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｂｙ ＤＣｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＣｕｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｎｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ，ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ， ａｎｄｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｉｎｄｅｔａｉｌ．ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｔｈｅＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｆｉｌｍｓａｒｅｏｆａｃｃｅｐｔａｂｌｅｃｒｙｓｔａｌｑｕａｌｉｔｙ．ＷｉｔｈａｎｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｔｈｅＣｕｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓ，ｔｈｅｖｉｓｉｂｌｅｔｒａｎｓｍｉｔ ｔａｎｃｅｏｆｆｉｌｍｓｄｅｃｒｅａｓｅｓｓｌｉｇｈｔｌｙ，ｗｈｉｌｅｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｓｈｏｗａｎｅｖｉｄｅｎｔｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ．Ｗｈｅｎｔｈｅ Ｃｕｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｉｓ７．５ｎｍ，ｔｈｅＧＺＯ／Ｃｕ／ＧＺＯｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｆｉｌｍｓｃａｎｒｅａｃｈｔｈｅｏｐｔｉｍａｌｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｔｈｅｆｉｇｕｒｅｏｆｍｅｒｉｔ（ ）ｉｎｃｒｅａｓｅｓｆｒｏｍ７．６５×１０－５ －１ｆｏｒｔｈｅｓｉｎｇｌｅｌａｙｅｒＧＺＯｆｉｌｍｔｏ ΦＴＣ Ω １４８×１０－３ －１ｆｏｒｔｈｅＧ