SolGel方法制备硅基PZT铁电薄膜.pdfVIP

Sol-Gel方法制备硅基PZT铁电薄膜’ 张林涛 任天令 张武全 刘理天 李志坚 (清华大学微电子所 北京 100084) 摘要 本文介绍了用Sol-Gel方法在硅衬底止以峭酸铃、皓酸铅和钦酸四丁酣为原料制备PZT 铁电薄膜的工艺流程.对上述方法制备的铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质 进行了分折，结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙钦矿结构.探讨了工艺过程中影响PZT 铁电薄膜品质的因素. 关健词 Sol-Gel乡PZT·1ktlx喂 1引言 铁电薄膜材料因其优越的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学性能而受到高 度的重视t1,PZT铁电薄膜是其中非常重要的一种，已在非挥发存储器，微执行器，微传感 器等领域有了很广泛的应用。由此PZT薄膜的制备方法也得到了长足的发展，目前常用的有 溶胶一凝胶 (Sol-Gel)，射频磁控裁射，金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)，脉冲激光沉 积 ((PLD)，分子束外延 (MBE)等技术。溶胶一凝胶 (Sol-Gel)法制备PZT铁电薄膜有着 设备简单易操作，组分可精确控制的优势，并且容易与IC工艺兼容，是一种极常用的制备 铁电薄膜的方法。普通Sol-Gel法制备PZT铁