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X波段3WGaAsMMIC研究 冯 震 高学邦 (信息产业部电子十三所 石家庄 050051) 一，引言 孙As功率单片的研究是为了满足微波放大器、T/R模块小型化的需求而进行的.它对 于卫星通讯、雷达、电子对抗及电子武器等领域的小型化具有重要意义.近几我们在C，X 波段GaAs功率单片方面做了一些工作，并取得了一定的结果.下面将K波段3W GaAsMMIC 的研究工作情况进行介绍。 二、电路设计 1有源器件的选择 为了满足输出功率大于3W的要求，我们选择总栅宽为500oEun的GaAsMESFET器件作 有源器件，其栅长为0.5FUn，单指栅宽为1251un.微波参数典型值为:在8G8z下输出功率 大于33dBm，增益大于6dB。 2.建立有源器件模型 5000Eun器件大信号模型的建立，采用了GaAs器件建模DM软件.建模过程为: 利用GaAs器件脉冲01!试系统(脉宽2uS、频率20KBz，20V/5A)测量器件的I-V特性， 结正向与击穿特性，利用lIP8510B矢量网络分析仪测量器件在不同偏置下的S参数.把测 量的脉冲I-V特性，结正向与击穿特性，以及不同偏置下的S参数输人GaAs