TMAH刻蚀硅及对铝覆盖膜的影响.pdfVIP

2000年 10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 TM 刻蚀硅及对铝覆盖膜的影响’ 秦元菊 忻佩胜 范忠 丁玲 赖宗声 华东师范大学电子科学技术系 200062 摘要:本文主要研究下MAH对硅和铝的刻蚀情况。首先，傲了不同条件下 浓〔度从 2%wt 到25%wt,温度从60℃到850C)TMAH对硅的腐蚀实验，发现对硅的腐蚀速率随温度升高 而增大，随浓度增大而减小;纵向腐蚀与横向腐蚀深度之比可达12:1到20:1:浓度在15%wt 以上时表面平滑。然后，又用多种方法实骏了有铝膜扭盖的悄况.并做了比较，试图找到 对硅和铝的腐蚀选择比较好的条件，验证结果表明用!PR光刻胶作保护的效果较好。 关扭祠:下MAH、各向异性腐蚀、选择比 一、引言: 随着通信和集成电路所用频率的不断提高，低成本、微型化的微波元件有了很大的需 求。但通常，硅上的传输线器件在微波频段损耗很大。为了使这些微波元件与有损的硅衬底 电磁隔离不需要的硅衬底必须刻除。 这些波导必须满足两个严格的要求:良好的低损耗性能和机械强度。然而 要获得良好 的微波频率性能必须刻掉有损耗的硅使元器件和传物线悬浮起来。通常用各向同性或各向 异性腐蚀来达到此目的。也可用把两者 结合起来的混合腐蚀方法 “，。 早期的各向异性腐蚀实验，一般只研究对硅的腐蚀。或者实际在制作器件的过程中把 硅腐蚀掉，有时这样做会对后面的工艺造成不良影响或使后续工艺无法进行。如果运用一 种后处理工艺 即〔先把器件做好，然后进行腐蚀)，则可避免上述问题。目前集成电路平面 工艺多用铝作导线，为了运用后处理工艺来实现把器件下面的硅腐蚀掉，又能保持器件完 好无损，就必须找到一种合适的腐蚀液和实验条件，要求对硅和铝的选择比很大，这正是 本文的研究目的。 二 、实验: 1.腐蚀液的选取 能够用来做湿法化学刻蚀的腐蚀液有很多[z1，目前已得到广泛应用的硅各向异性腐蚀 液有，氧化钾水溶液 K〔OH)、邻苯二酚乙二胺的水溶液((EPW)和联按水溶液 (N2H2)。后两 种因其腐蚀过程的可控性较差、有很大的毒性，近年来已逐渐被淘汰不再使用。而，氧化 钾水溶液 (KOH)因其无毒、表面质量好、腐蚀速率易控等优点而被广泛应用;但是KOH易 引起离子沾污，又容易腐蚀铝，因而不能与CMOs工艺兼容。近年来，人们发现TMAHW 四〔 甲基，氧化铁水溶液)也可作为硅的各向异性腐蚀液，而且很有希望与。SOs工艺兼容。但 这方面的实验报道还不多，而且它对铝的腐蚀重复性较差，值得进一步研究。 a 启蚀机理 在各向异性腐蚀中腐蚀速率取决于晶面上原子密度和界面密度。对硅而言，(111)面 是原子密度最大的面，(100)面次之，(110)面最小。全面考虑各种因素，得出以上三个 面的腐蚀速率关系为: R(100)R(1100R(111) CMOs工艺中使用的硅衬底晶向是(100)，并且各向异性刻蚀成一个倒切的金字塔形的坑， 刻蚀坑的侧壁均为{111)晶面，使得侧壁与衬底表面成 54.70。如果基片足够厚，则腐蚀自 动停止。 2以又】年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固 由于洲该月呈强碱性，因此腐蚀液中存在大t的组氧根离子，这使得硅和铝很容易与 其发生化学反应，它们的反应方程式分别如下: 2(0川一+5主+召H:。一[5丘(oH)]‘’一+2姚个 3(OH)一+AlotAI(OH)，+3e 方程式反映了本实验的化学实质，从而为在实验中调节 ”。”腐蚀液HP值来改变腐蚀速率 提供了理论上的依据。 3.装，与实脸 本实脸采用 (01)0硅片，切割成小片供实验使用。由于腐蚀速率与腐蚀液的配比、温 度等有密切关系，所以要根据不同条件进行实验。 腐蚀液由分析纯的，肠月水溶液与去离子水配制而成，为减少挥发引起腐蚀液的配比变 化，实验采用回流冷凝装置，并在水浴条件下进行，由恒温磁力搅拌器控制温度并对腐蚀 液进行搅拌。整个装置放在通风橱中。 为了研究，因.对铝的腐蚀，向腐蚀液中加人硅酸和过硫酸按以改变腐蚀液的HP值， 该值由州5一2型酸度计测出。此外，还尝试用KPR光刻胶、聚酞亚胺作保护铝膜的试验。 三、实