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中低能离子(e,2e)反应的理论研究.pdf

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增 刊 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Supplemcra 1998年 7月 CHINESEJOURNALOFATOMICANDMOLECULARPHYSICS 1.1.1999 中低能离子(e,2e)反应的理论研究 陈长进 安及大学 物理 系 合肥 230039 中国科技大学电子碰恤讲学实验室 合肥 230027 张穗萌’ 贾祥富2 施启存3 徐克尊3 安徽六安师范专科学校物理系 六 安 237012 山西师范大学物理系 临 汾 041004 中国科技大学近代物理系 合 肥 230027 摘 要 将DS3C模型推广应用于低能离子 (e,2e)反应,计算了入封能蚤为70eV,8OeV, 150eV和200eV共面不对称几何条件下电子硅挂电离He离子的三重微分截面,结果表 明当入射能童较低时recoil峰很强。 关健词:HeA子 e‘.2e)反应 三重微分截面 引 言 电子与离子碰撞电离问题在等离子体物理中起着重要的作用。早在八十年代初期 离子的(e,2e)反应问题就已经成为原子物理学家感兴趣的课题[I)。尽管迄今为止尚没 有这方面的实验数据,但近几年离子(e,2e)反应的理论研究有了较大的进展[(2.61。与原 子(e,2e)反应不同,由于人射电子受靶离子的长程库仑作用,此时必须用库仑波代替平 面波描述人射电子。几年前,Biswa,和Sinha分别计算了人射能量在250eV以上共面不 对称几何条件下He离子[[21和Li离子(3)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS)。他们在 处理两出射电子时,用库仑波描述献出电子(慢电子),而散射电子(快电子)则用Eikonal 近似处理,同时还考虑了两出射电子之间的关联效应,但该模型只适用于不对称几何条 件。1997年,我们首次将BBK模型[7)进行推广,应用于研究离子(e,2e)反应,即用库仑 波描述人射电子,用BBK波函数描述两出射电子,由此得到的理论模型适用于各种几何 条件,因此克服了Biswas和Sinha理论模型的不足。在共面不对称几何条件下,我们计算 陈长迸.男.32岁.博士.讲师 137 所得He-离子[a)和Li’离子[51(,,2e)反应的三重微分截面与文献(2,31荃本一致。此外, 我们还计算了类氢离子(Z=2-5)(e,2e)反应的三重微分截面,并研究了靶离子核电荷 数对微分截面的影响[[61。然而,所有上述理论结果均局限于中高能情况。 1994年,Berakdar和Brigg。对BBK模型加以修正,使之适用于低能原子(e,2e)反 应,并取得了极大成功(s)。该模型考虑了三体库仑相互作用系统中的动力学屏蔽,因而 被称之为DS3C模型。然而,该模型只适用于能量对称(即两出射电子具有相同能址)的 情况。我们已经将此DS3C模型应用于离子(e,2e)反应.并计算了人射能量在75一 3000eV范围内共面对称且能量均分条件下He离子e〔,2e)反应的三重微分截面[91 最近 我们发展了Berakdar和Briggs的DS3C模型,得到适用于各种几何条件的 DS3C模型,并计算了共面不对称几何条件下低能人射电子与H原子和He原子碰撞电离 反应的三重微分截面,所得结果与实验基本吻合I〔一“’21 本文将我们前期导出的适用于各种几何条件的DS3C模型应用于低能离子(e,2刁反 应,研究共面不对称几何条件下中低能人射电子与He离‘子碰撞电离过程。 2 理 论 本文计算中低能He离子(。,2。)反应的三重微分截面,采用的理论模型参见文献 [41。这里只x将文献[4]中第(9)式的Som

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