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多孔硅原理及应用;CONTENTS;1. 多孔硅材料简介及原理 ;; 电化学腐蚀法是多孔硅制备中使用最早也最为广泛的一种。 此方法是在氢氟酸和乙醇的混合溶液中对硅片施加低于电抛光的电流密度的电流从而获得多孔硅的方法。在该方法中使用铂电极或石墨作为阴极、单晶硅片作为阳极，在HF溶液中进行电化学腐蚀。 根据所用腐蚀设备不同，此方法又分为单槽电化学腐蚀法、双槽电化学腐蚀法和旋转电解槽腐蚀]。 2.1.1 单槽电化学腐蚀法 下图展现了单槽电化学腐蚀法的制备设备结构图。;2.1.2 双槽电化学腐蚀法 双槽电化学腐蚀法在大尺寸的单晶硅表面形成均匀的多孔硅层及降低多孔硅层制备难度的优点。 其原因在于在双槽电化学腐蚀法中，阳极硅片被固定在电解槽的中间并将电解槽分成两个互相独立的槽，同时这两个互相独立的槽的其他部分相互保持绝缘此种方法不必??虑硅片的背面金属化的问题。 图3展现了双槽电化学腐蚀法的制备设备结构图。 ; 电偶电流法一种新兴的多孔硅制各方法，这种方法的基本依据是原电池原理。其工作原理如图5所示，工作示意图如图6所示。在硅基片的一面镀一层贵金属(一般为铂)作为电极，电偶部分是通过硅基片与其背面的金属电极在电解液中相接触组成的。由于硅的原电动势比所用的贵金属低，与之接触时会产生原电动势差，进而产生从金属流向硅基片的电偶电流，导致硅基片中的正电荷(即空穴)在电场作用下迁移到基片表面并与电解液发生电化学反应，从而使硅原子从硅基体上脱落，形成多孔硅。;1993年Noguchi和Suemune提出了光化学腐蚀法。反应所需的空穴载流子通过光照硅基体产生，而非从外电路电极提供。使用的腐蚀溶液除了HF溶液外，还有加氧化剂的HF/H2O2、HF/FeCl3、HF/I2等体系，大大缩短了制备时间，从1 h缩短到10~30 min。光化学腐蚀法使用的光源大多数为可见光和紫外光。 而I.H.Cho等人的研究表明，使用单色低强度X射线也可制得多孔硅，但是用混合波长高强度X射线便产生抛光现象，腐蚀速率为1.5 nm/min。 ; 多孔硅可通过电化学法做成在光电结构中应用的减反射膜或发射器。但是，在制作太阳能电池的过程中，用电化学法形成的多孔硅会限制太阳能电的转换效率。最近的研究表明，更好的办法是把含HF酸的溶液通过喷嘴，以一定的速度喷射到大面积硅衬底表面，进而生长出多孔硅，但由于相对速率较高的HF液滴在撞击硅衬底时，会被弹射到其他区域，会影响图形的质量.;3. 多孔硅的特性 ;4. 多孔硅的形成机理;5. 多孔硅的应用;5.5 发光器件 由于多孔硅在近红外和可见区辐射强烈的荧光,故可制造带有光源的大规模集成电路.制作过程是先再p型衬底上形成多孔硅,然后在背面形成欧姆接触,在多孔硅上淀积一层半透明的Au膜.