模电第9讲.pptVIP

4.1.1 BJT结构简介 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 4.1.1 BJT结构简介 NPN型 4.1.1 BJT结构简介 PNP型 外部条件 发射结正偏，集电结反偏 外部条件 发射结正偏，集电结反偏 电流分配关系 基极电流传输系数?： 集电极电流放大系数?： 小结 * 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路* 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路* 4.7 放大电路的频率响应* 4.1 半导体三极管BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 结构特点：内部条件 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 管芯结构剖面图 ++ 放大状态下BJT中载流子的传输过程 三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)都参与导电，故称为双极型三极管BJT 。 IE=IB+ IC ? 和? 与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关。一般 ? = 0.9?0.99 ，? 1。 ? 是所加信号频率的函数，信号频率高到一定程度时， ? 不但数值下降，且产生相移，使? 数值下降到1的信号频率称为特征频率fT。 共基极放大电路 3. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 思考1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？ 思考2：可否将e和c交换使用 思考3：外部条件对PNP管和NPN管各如何实现？ 综上所述，三极管的放大作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 一组公式 e c b N P N 　 c b e N P P 4. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 工作在放大状态的条件： vCE≥1V 饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜1V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：特征－IC接近零 该区域相当IB=0的曲线下方。 此时，发射结反偏或正偏电压很小，集电结反偏。 放大区：特征－IC平行于VCE轴 该区域内，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 2. 输出特性曲线 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 共射极连接 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 倒置：发射结反偏，集电结正偏 临界饱和（虚线） 练习：测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 (1) VC＝6V VB＝0.7V VE＝0V VBE＝0.7V VCB＝5.3V 放大区域 (2) VC＝6V VB＝2V VE＝1.3V VBE＝0.7V VCB＝4V 放大区域 (3) VC＝6V VB＝6V VE＝5.4V VBE＝0.6V VCB＝0V 饱和区