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EE141 ASIC设计实践 《ASIC设计实践》课程信息 课程性质：是一门专业课程 介绍CMOS存储器设计（SRAM设计） 共48课时（24理论课时+24实验课时） 24课时的实验课，完成一个16×4 SRAM芯片的项目设计 电路设计 版图设计 通过验证 Project 完成一个16 ? 4 SRAM芯片的设计(5.28) 2人一组 项目过程： 期中Oral presentation （20%）（5.9） 期末Oral presentation （40%）（5.30） 项目报告书一份 （40%）（6.6） Policy 规则： （1）点名1次不到，扣20分； （2）请假规则：必须有正规请假手续和在课前请假。 几个常见缩略词 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) IC (integrated circuit) VLSI (very large scale integrated) ULSI (ultra-large scale integrated) MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistors) SPICE (simulation program with integrated circuit emphasis) CMOS存储器概况 数字系统重要组成部分 大量数字信息存储载体（存储数据值和程序指令） 半导体存储器阵列 向高存储密度、大存储能力的方向发展（高性能微处理器中一半以上的晶体管用于高速缓存） 遵循摩尔定律 主要设计指标： 面积效率 存取速度（存取时间） 静态和动态功耗 存储器基本概念——容量 位（bit）：电路设计者通常以此说明存储器的容量 字节（byte）：8个bit构成一组Byte，芯片设计者角度，Kbyte、Mbyte、Gbyte、Tbyte 字（word）：系统设计者，字代表一个基本的运算实体，例如，在32位计算机中，32位一组代表一个字 存储器基本概念——时序参数 位（bit）：电路设计者通常以此说明存储器的容量 CMOS存储器分类 读写存储器 (RAM) 必须允许在数据写入存储阵列，也允许在要求的条件下读出数据； 也称为随机存储器（RAM），与磁带存储器等顺序存取的存储器不同，RAM的任何一个单元的存取时间基本上相等； 掉电时，丢失所有存储的数据； 根据单个数据存储单元的工作原理，分为两类：SRAM和DRAM Project 完成一个16 ? 4 SRAM芯片的设计(5.28) 2人一组 项目过程： 期中Oral presentation （20%）（5.9）(5.16) 期末Oral presentation （40%）（5.30） 项目报告书一份 （40%）（6.6） 读出操作 感测放大器交叉耦合 SA的参考电路1A * School of Microelectronics ASIC设计实践2013春季 中北大学 电子科学与技术系 第 1 讲 优秀≤40% 良好≤50% 合格≤10% 项目完成的质量 完成的时间顺序 按数据存取方式 优秀≤40% 良好≤50% 合格10% 项目完成的质量 完成的时间顺序 三个主要的部分 存储器核心单元 解码器 读放大器 输出控制 一个静态RAM块图 六晶体管 上拉晶体管，等效电阻 通过晶体管，等效电阻 A A_b 位线预充电和均衡 * School of Microelectronics ASIC设计实践2013春季 中北大学 电子科学与技术系 * *