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半导体存储器：挥发性与非挥发性存储器。 DRAM、SRAM是挥发性存储器； 非挥发性存储器被广泛应用在EPROM、EEPROM、flash等IC中 6.6 MOS存储器结构 DRAM存储单元基本结构 SRAM存储单元结构图  (a) 六管NMOS存储单元； (b)六管CMOS存储单元 SIMOS管的结构和符号 EPROM存储器结构 EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(Floating-gate Avalanche-Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称FAMOS管)或叠栅注入MOS管(Stacked-gate Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称SIMOS管) Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅，泄漏电流很小，所以一旦电子注入到浮栅之后，就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。 擦除EPROM的方法是将器件放在紫外线下照射约20分钟， 浮栅中的电子获得足够能量，从而穿过氧化层回到衬底中， 这样可以使浮栅上的电子消失，MOS管便回到了未编程时的状态，从而将编程信息全部擦去。 Flotox管的结构和符号 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管(Floating-gate Tunnel Oxide MOS，简称Flotox)。 Flotox管也是一个N沟道增强型的MOS管，与SIMOS管相似，它也有两个栅极——控制栅和浮栅，不同的是Flotox管的浮栅与漏极区(N+)之间有一小块面积极薄的二氧化硅绝缘层(厚度在2×10-8m以下)的区域，称为隧道区。当隧道区的电场强度大到一定程度(＞107V/cm)时，漏区和浮栅之间出现导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。 E2PROM的编程和擦除都是通过在漏极和控制栅上加一定幅度和极性的电脉冲实现的，虽然已改用电压信号擦除了，但E2PROM仍然只能工作在它的读出状态，作ROM使用。 快闪存储器存储单元  (a) 叠栅MOS管； (b) 存储单元 Flash Memory 快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性，而且集成度可以做得很高。其结构与EPROM中的SIMOS管相似，两者区别在于浮栅与衬底间氧化层的厚度不同。在EPROM中氧化层的厚度一般为30~40 nm，在快闪存储器中仅为 10~15 nm, 而且浮栅和源区重叠的部分是源区的横向扩散形成的，面积极小, 因而浮栅-源区之间的电容很小，当Gc和S之间加电压时，大部分电压将降在浮栅-源区之间的电容上。快闪存储器的写入方法和EPROM相同， 即利用雪崩注入的方法使浮栅充电。擦除方法是利用隧道效应进行的，类似于E2PROM写0时的操作。 作 业 1 1、画出n衬底的理想MOS二极管的能带 2、P213 5，6，8。 作 业 2 1、P214 15，18，19，20，21 作 业 3 1、什么是短沟道MOSFET的DIBL效应？ 2、画出CMOS反相器的芯片剖面示意图、闩锁效应等效电路？闩锁效应导通条件？ 工艺上避免闩锁效应采取的措施？ 3、比较双极型晶体管与MOSFET两种器 件？ 转移特性曲线 提取阈值电压 研究亚阈特性 举例：对一n型沟道n型多晶硅-SiO2-Si的MOSFET，其栅极氧化层厚度为8nm，NA=1017cm-3，VG=3V，计算饱和电压。 解： Co= ox/d =4.32×10-7F/cm2 亚阈值区 当栅极电压小于阈值电压，且半导体表面弱反型时，---亚阈值电流； 在亚阈值区内，漏极电流由扩散主导； 在亚阈值区内，漏极电流与VG呈指数式关系； 亚阈值摆幅：[（lgID）/ VG]-1。 亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势 N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source Gate Drain N+(P+) 6.2.2 MOSFET种类 N沟增强型 N沟耗尽型 P沟增强型 P沟耗尽型 转移特性 输出特性 6.2.3 阈值电压控制 阈值电压可通过将离子注入沟道区来调整； 通过改变氧化层厚度来控制阈值电压，随着氧化层 厚度的增加，VTN变得更大些，VTP变得更小些； 加衬底偏压； 选择适当的栅极材料来调整功函数差。 6.2.4 MOSFET的最高工作频率 当栅源间输入交流信号时，由源极增加（减少）流入的电子流，一部分通过沟道对电容充（放）电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏极电流的增量。当变化的电流全部用于对沟道