自组织生长多层Ge岛的结构分析.pdf

2000年10月.广西 ·北梅 第七届全国固体薄腆学术会议 自组织生长多层Ge岛的结构分析 黄昌俊，李代宗，成步文，罗丽萍，余金中，王启明 集成光电子国家重点实验室，半导体所，北京，100083 摘要 我们在一个具有间隔双模的Ge岛的表面上生长了多层的Ge/Si结构。原位的高能电 子衍射、原子力显微镜和裁面透射电子显微镜被用于对其进行结构分析。发现随着岛的层 数增加，发生Stranski-Krastanov跃迁的临界厚度变薄，岛的尺寸增加而且变得均匀，岛 的间隔也由双模分布变为单模。 1.引言 近年来人们一直在为制备Ge/Si量子点而努力，由于它们为实现一些新的硅基的量子 电子和光电子器件提供一种可能1,z。在几种产生量子点的方法中，利用应力驱动下生长模 式从二维生长到三维生长的跃迁 (Stranski-Krastanov跃迁，SK跃迁)的自组织量子点技 术引起了人们特殊的兴趣。因为这种方法可以产生量子尺寸的岛而不需要任何掩模和图 形。然而自组织生长的岛的一个主要缺点是它们尺寸还不够均匀而且分布无规律。解决这 个问题的一个主要方法是将岛层堆垛起来，岛层之间用间隔层分隔 ’。只要间隔层足够薄， 被埋在下面的岛的各向异性应力场会穿透间隔层在表面生成应力调制的结构，从而影响岛 的成核和演化，最终使岛在垂直方向上对准并且均匀性得到改善。尽管这种垂直方向上的 自组织的机理已经得到了定性的解释。主要是择优性成核’和方向性横向迁移 ，‘但我们的 研究表明除了岛的均匀性的改善外，岛的大小，浸润层的厚度和岛的空间分布都会随岛的 层数增加而发生变化。因此对于多层的自组织岛的细致的结构分析是很有必要的。 本文报导在一个具有间隔双模的Ge岛的表面上生长了多层的Ge/Si结构。原位的高能 电子衍射 R〔HEED)、原子力显微镜 (AFM)和截面透射电子显微镜 ((TEM)被用于对样品的 结构分析表明。随着岛的层数增加，发生SK跃迁的临界厚度变薄，岛的尺寸增加而且变 得均匀，岛的间隔也由双模分布变为单模。 2.实验 样品生长是在国产的超高真空化学气相外延 (UHV-CVD)设备上进行的5生长的气源用 的是纯的乙硅烷和锗烷。生长室装备了一台差分高能电子衍射系统，允许我们在生长时的 高的压力下也可以监控正在生长的表面。关于生长设备的详细描述可以参见文献[21151 原子力图像是在Digital工nstrumentsNanoscope工II原子力设备上以接触式模式记录的。 透射电镜照片的拍摄是在样品截面上。摇摆曲线的测试是在一台标准的双晶x射线衍射设 备上进行的。 样品的生长经历以下过程:经过异位化学清洗后的 (001)取向的Si衬底在装人UHV 生长室后被加热到，50℃脱氧，然后降低温度至850℃生长一个25。二厚的Si的缓冲层， 接着降温到700℃生长十个周期的Ge/Si多量子阱.一个周期由5.8个单分子层 M〔L)的 Ge和350th的Si组成。两个参考样品被设计用作原子力显微镜测试;一个含有单个Ge层， 另一个含有10个Ge层，所有Ge层的厚度都为5.8ML，样品表面没有覆盖Si盖层。 21洲x〕年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄腆学术会议 3.结果和讨论 图1(司和(b)显示的是侥层在生长过程中成岛前后的HREDE图案。图1(a)中的2双表 面再构的条状图案反映了成岛前的生长表面是光滑平整的，而图1(b)中的点状图案则对应 一个起伏的表面.图案的救交皮映了Ks跃迁的发生。通过对图案转变的监侧我们可以得到 (c) 司 ( 5 乏 )