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薄栅氮化物的击穿特性 张国强，陆妩，艾尔肯，余学锋，任迪远，严荣良 (中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，830011) 摘要 研究了含NMOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOs栩介 质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受N0, 退火a度的制 约:N对薄栅介质的击穿电场强度影响较小，击穿电场受高场姗偏压极性的制约。用一 定模型解释了实验结果. 关键词:氮，MOs,击穿 引言 MOs短沟薄栅器件电路的电离辐射、热载子损伤和Fowler-Nordhei耐简称F- N)击穿。是影响其可靠性和稳定性工作的主要因索，因此研究它们的特性规律， 是当前微电子学领域十分重视的课题之一。最近，关于含NMOS栅介质的电离辐 射/热载子效应研究结果表明(a7，N能明显抑制MOs栅介质中由辐射/热载子感生 的氧化物电荷和界面态的增长积累。但是，直到目前，关于薄栅器件的抗F-N击 穿研究却很少报道。而这些研究对提高含N介质的可靠性和稳定性等都是非常重 要的。 本文采用高场和恒流注入方法，研究了含N薄栅MOs电容的击穿电场和电荷 击穿特性，发现了含NMOS栅介质不同于热氧介质的击穿特性. 2样品制备和实验 喊 实验所用样品为Al栅N型MOs电容，制作在1.7-2.30。cm,n(100)的 si衬底上，900℃干02栅氧化，栅氧化层厚度为10nm,氧化后在900CN:中进 行退火，电容面积2.02X10-em。含N栅介质的制备是通过先进行900℃千飞氧 化再把502姗介质放入N20中退火而获得的。作为研究N20退火温度对电荷击穿的 影响，采用N20退火温度为900C.950Cl1000℃三种退火时间20分钟，然后 于N:中进行15分钟的POA处理。作为研究N对击穿电场和电荷击穿的影响。采 用的N,O退火温度为1000C,退火时间为20分钟，不进行POA处理。最终栅氧 厚度为lOnn左右。 188 * 张国强 陆妩 艾尔肯等:薄栅氮化物的击穿特性 击穿电场的获得，是通过测量样品在正栅偏压和负栅压阶梯扫描作用下 (电 压扫描间隔为 0.iv)，当衬底漏电流为 Ix10-A(失效电流)时，膜上加的电场 强度值，平均击穿电场是20个相同样品击穿电场的算术平均值。介质膜的击穿 有两类:其一是低锡击穿，主要由膜内缺陷、杂质和针孔等引起，属非本征击穿: 其二是高锡击穿 (一般大于6MV/cm)，此类击穿主要是 FN热载子引起的大电流 所造成的，属本征击穿。 电荷击穿是通过在栅上通入恒流，经过一定时间后，当介质发生击穿时，介 质单位截面所流过的电荷量 (4d=7t(J为通入的恒流密度，t为时间)来表示 的。电荷击穿特性是氧化物在遭受毁灭性的损伤之前所能注入的电荷量大小，是 考察介质可靠性的主要指标之一 3实验结果及讨论 3.1击穿电场特性 图1所示的是含N与不含N(Control)样品的平均击穿电场比较结果。由图 可见:t)无论是正栅偏压还是负栅偏压，Control与N刃样品的击穿塌强差别不 大:2)栅偏极性对击穿强度有一定的影响:3)所有样品都显示出 I4~176n/cm 的较高击穿电场，它们反映了介质的本征击穿。 0 2 8 1 6 1 ~ 4 1 官 。 论 ， 尧 ︶ 0 1 要 却 仙 幼 你 佗 6 刃 卜 4 ‘.叱 2