§4.1 结型场效应晶体管Junction type Field Effect TransistorJFET.pptVIP

Exercise 4.1.3 4.3.2 4.4 场效应管放大电路 栅极电压 Exercise: 4.3.4 4.4.2 4.4.5 Preparation: 5.1 and 5.2 sections in Chapter5 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1 直流偏置电路 （1）自偏压电路 FET组成放大电路和BJT一样，要建立合适的Q点。不同的是, FET是电压控制器件，要有合适的栅极电压。 优点：简单。缺点：Q点确定后，VGS, ID就确定了，R选择的范围很小。 增强型FET只有栅极电压先达到某个开启电压VT时才有漏极电流ID，这类管子不能用图示的自偏压电路 （2）分压器式自偏压电路 R上的压降 栅源电压为 2 Q点的确定 公式法： JFET IDSS是饱和漏电流 MOSFET ID0是vGS=2VT时iD 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1 FET的小信号模型 2 应用小信号模型分析FET放大电路 以共源电路为例 (1)中频电压增益 (2)输入电阻 (3)输出电阻 * 场效应管具输入阻抗高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强和制造工艺简单优点。 结型场效应管JFET 金属-氧化物-半导体场效应管 Metal-Oxide-Semoconductor type FET(MOSFET) 又称绝缘栅型场效应管 场效应管有两种: §4.1 结型场效应晶体管Junction type Field Effect Transistor(JFET) 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(grid) 栅极 S(source) 源极 D(discharge) 漏极 一、结构 4.1.1 结型场效应管(JFET): 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 三、特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V U