釕基氧化物作爲空氣電極材料研讨.pdfVIP

钌基氧化物作属空氯鼋棰材料研究 唐宏恰 圈立暨南圆隙大孥虑用化孽系 南投麻埔里锺大睾路一骁·台湾 一、中文摘要 锌．空氯鼋池中的鼋梗材料研究—占E强去三十年躅不断的被努力探封。由於楹扳工程的割新舆材 料性要等多方而的突破，使藓·空氯壤池的放置性能鞍早期有数十倍的逛步。本研究中将合成包台钌 基之钙钛磺氧化物新材料监符其裂俯焉空氟毫捶，完成之新材料鼋捶将i苣行材料祜椭舆鬣化罩量涮 分析，以探讨窒氯遥原能力和材料性耍之相明性。 现陪段桎由罨池性能测弑以及材料分析桔果，我们封於以氧化物作属锦圣氯鼍池之裂造原理 以及可能麈生殛化现象之原因已桎有一定的掌握，封於新鹰题材料的朋登也作更深入的研究。 黼熊嗣：锌一空氟鼋池、钙赫聩氧化物、氧遗原催化、空氯鼋棰 二、前雷 在1970年代末期已榷有商品化的辩-空氯鼋泡麈品在市面E§阿售，喾睛的商品是J奠小型鼋池的 段补焉主，以助聪器鼋池、罨子手鲼蘑池，计算樱匿池等成功的打人民生市：嗡I-3)-由於锌-塑氟鼍池 裂造成本舆铅酸鼋池都具有成本低焘馒势，但其自＆量密度盛豁酸鼋池的敷倍(4-8)，因此更高性能辞． 空鼋池的鼗展倍受人们注意。 绊-宰霉池的珲稿蘑位摩露1．65V t但目前既有的鼋池崖品鼋位将焉l2-1．5V，遥表示蕾池有糯 化现象的虚生，而造成锌-空氟鼋池在鼋位上损失的棰化可枷分成溃度棰化(eoneent珊ion polafizatioa)、活性诬似a翻iv嘶0np01arjz确∞潆啊溷楹化(ohmicpolaf诬瞌舡)，其中造成渡度匿化的 主要原因霭氯髓嬷散不良，使得反虑中氧的辅充速度遣慢，造成楹化：而鼋橇表面若有rto：-的吸附， 也就是反愿穰制中02囊成OH的速度遣慢盘禽奁生棰化，扁活性捶化箍圜：而鼋池毅静不良或罨梗 内含稚臀造成雹攫的鼋阻升高，也曾造成欧姆橱化。现令辩。空氯鼋池裂造的材料舆早期截然不同， 新材料的明琵舆撞板工程上的逛步促成锌-空氯鼍池槐勤汽锇卓E的虑甩早期的辩_空氯耄池是以 焦油、摄青等混合术}酾盼将之成形，锻境成I{自匿，罩位面横上町取出的鼍流密度约露5mA岛丑2，但 近年束绊一尘氯鼋池的碳橇以高分子凝秸活性碳的做法裂得，由於可以做得很薄c2，，因此在蔻流密度 上有数十皓以上的提升。目前廒商所使用之空氟篙匿材料属了考置成4=多以C焉蒸材混以co基、 AS基或Mn基之催化材料·此颓催化材料怍焉一次罨池相常合逋，但盐不能满足做属二次露池所需 要的耐充放鼋特簧，Ru氧化物雎然成本鞍昂黄，但早期研究秸果疆明具有馒良抗腐触舆高催化活性 等僵虞特冒。催化材料的程颊雎然相富多，但如果考量要能租强敞舆大鼋流的壤境下翩，则可以 避挥的催化劁所剩燕畿，目前在文献上所自粥到的资料中t要做焉可充放薏式二次孽焖蟓陲楹 催化材料除了寅金属Pt、Ni等材料外，另一植就是钙钛碛氧化物慨∞v3l洫)fl薹亿剂。其中添加 La06ca04c003钙钛聩氧化物的空氟鼋攫已披初步跫蜜具有良好的偿他力，但在墅匿寅鲮中空氯棰 板性能再现性不良。本针备研究的目的在研究新型钙钛磺靴物艟化材料，研究中骚琨Ca-Y-Ra系 材料具有良好催化能力，裂作成空氯葡隧後能有效提升空氯除槿的氧遣原—眨癔。 25—1 三、辖果舆讨输 属了合成具高蓦鼋度舆良好催化能力之氧化物，因此帮袋具钙钛磺氧化物辖棒的 量测。 3．1Ca2YRuz06的合成舆捶板量涮 粉末作橙遇t230℃．3小畸的烧秸後遣行X．R碘sEM分析，圊l舆圄2分别焉合成ca2Ⅵ她侥的 X-RBy麓射删舆sn罐子影像圆，X-Ray／陪果髋示有少量难梧薛芭，更高烧秸瀣址莲可以减少稚梧暗官 降低材料比表面稹，蓝不是最好的避挥t由s醢觯瞽刊彭像圃粉锉颗粒大小粕10-20／tin，焉不规则戕 粉髋，我佣把材料依碳：催化材：PTFE=2：I：0．5比例所裂得的楹板作欣鼋测敲·螨RXC7z匿板的 敷撩作成比较圆3。圊3中添加Ca2YRu206的橙饭舆糙碳材题板互作比较，其封於覆板的槿化情形明 颢有改善，在放鼍密度焉1(30 nt，c岔提升了将近150mV，再舆添加L80妇。触的棰扳作比较，育 鬣好了将近10-60mV。 胤’Xl童册O 圜2Ca2YRu206的sEMi