硅-二氧化硅系统的性质.pptxVIP

1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷;二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na离子。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 为什么SiO2层中容易玷污这些正离子而且易于在其中迁移呢？ ;二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体； 磷、硼等常以替代位形式居于四面体的中心； Na、K等大离子存在于四面体之间，可以使网络结构变形，使二氧化硅呈现多孔性，从而导致Na、K大离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 ; 一般杂质在二氧化硅扩散时的扩散系数具有以下形式 磷和硼的 值分别为 和 而纳则为 由于Na的扩散系数远远大于其它杂质。根据爱因斯坦关系，扩散系数跟迁移率成正比，故Na离子在二氧化硅中的迁移率也特别大。 ;温度达到100摄氏度以上时，Na离子在电场作用下以较大的迁移率发生迁移运动。;;可动钠离子对器件的稳定性影响最大 （1）漏电增加，击穿性能变坏 （2）平带电压增加 如何解决钠离子玷污的问题 （1）把好清洁关 （2）磷蒸汽处理;二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的 这些电荷位于Si-SiO2界面20nm范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 ;过剩硅离子是固定正电荷的来源 这些电荷出现在Si-SiO2界面20nm范围以内，这个区 域是SiO2与硅结合的地方，极易出现SiO2层中的缺陷及 氧化不充分而缺氧，产生过剩的硅离子 实验证明，若在硅晶体取向分别为[111]、[110]和 [100]三个方向生长SiO2时，他们的硅–二氧化硅结构中 的固定表面电荷密度之比约为3:2:1。 将氧离子注入Si-SiO2系统界面处，在450度进行处 理，发现固定表面电荷密度有所下降 将MOS结构加上负栅偏压进行热处理实验发现，当温度 高出钠离子漂移温度（127度）时，这些固定的表面电荷密 度有所增加。 ;平带电压 ;指的是在Si-SiO2界面处位于禁带中??能级或能带。 Si-SiO2系统中位于两者界面处的界面态来自于悬挂键。不同晶面悬挂键密度不同，(100)面最少。 硅表面的晶格缺陷和损伤，将增加悬挂键的密度，同样引入界面态。在硅表面处存在杂质等也可以引入界面态。 这些界面态位于Si-SiO2界面处，所以可以迅速地和Si半导体内导带或价带交换电荷，故此称为“快态”。 ;界面态能级被电子占据时呈现电中性，而施放了电子之后呈现正电性，称为施主型界面态 若能级空着时为电中性而被电子占据时带上负电荷，即称为受主型界面态 界面态能级被电子或空穴所占据的概率，与半导体内部的杂质能级被电子占据的概率分布相同 ;14;15;16;17;18;19;20;21;22;减少界面态的方法 合理地选择面原子密度小的晶面，如（100）晶面上生长SiO2，会减小未饱和的悬挂键的密度，从而使界面态密度下降 。 通过选择在适当的条件和气氛下对Si-SiO2系统进行退火，来降低表面态的密度 。;Si-SiO2系统在器件工艺，测试或应用中常常会受高能粒子，这些电磁辐射通过氧化层时，可以在氧化层中产生电子－空穴对。在偏压作用下，电子－空穴对中的电子容易运动至外加偏置电路形成电流，而空穴即被SiO2层中的陷阱陷落而运动不到电极中去，那么氧化层就带上了正???荷，这就是陷阱电荷。 Si－SiO2系统C-V特性向负偏压方向平移而出现平带电压 陷阱电荷在惰性气体中，在300度以上进行低温退火，可以很快消除