电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研讨.pdfVIP

第9届全国核电子学与核探侧技术学术年会论文集 Proceee5ngsof伽9htNationalConferenceonNuclearElectronics衣NuclearDetectoinTedinology 电离辐射环境中的高速CMOs电路时间 特性退化及其机理研究 余学峰 严荣良 郭旗 陆妩 张国强 任迪远 (中科院新扭物理研究所，乌奋木齐，830011) 本文对不同辐射环境条件(不同辐屁荆f率.不同辐服伯f)下的离遨54HCCMOs电璐的时间今数响应 特性进行了研究，并对其辐皿退化及失效机侧进行了探讨.取得了一些有价值的研究结果。 关妞询,CMOS电路 总荆fKI射 1 引言 54HC系列CMOS器件与一般CMOS器件相比一个突出优点是速度快.虽然对有关 54HC系列电路的总剂f辐射效应研究已有不少报道，但这些研究大多集中在直流参数的总 荆t辐射响应特性上，对其时间响应特性的研究，尚不充分。随着卫星、航天器和军事系统对器 件速度水平要求的不断提高，积极进行54HC系列高速CMOS电路的时间特性对总剂量辐射 响应的研究已显得非常必要和迫切。 本文对不同总剂f辐射环境下的54HC电路时间参数辐射响应特性和失效机理进行了研 究，取得了一些重要的研究成果。 2实验结果及讨论 2.1高速54HCCMOS电路时间今擞对总荆f辐射的响应特性 研究试脸样品为国内加固器件制造单位之一以常规工艺侧作的54HC04电路.图1为 54HC04电路在3Gy(Si)/s的辐照荆f率下，其抽出上升时间T,、下降时间Tf、延迟时间，;u 和TIM分别随总荆f的变化关系.从图中可91看到，随粉辐照系积荆A的增加，器件的Tf和 Tone总体增加变化不大，甚至有所减小，而T,和Tr,却有较大幅度增大.分析认为，Tf和Tou的 减小主要是由于器件在辐服中N沟周电压负向漂移，绝对值减小，导致N沟开启速度加快引 起的，而T,和TIN辐照后较大格度的增大见是由P构阔电压负向漂移，绝对值增大，导致P沟 开启速度变怪所引起的。 2.2不同辐照偏t状态的时间响应特性 电离辐射导致的高速CMOS器件的时间性能参数退化，不仅与辐照累积总荆蚤有关，而 且与工作加偏状态有密切的关系。以对总荆t辐射敏感且较重要的时间鑫数爪为例(如图1 所示)，输入端+5V偏t条件下样品的的T,变化最大，在果积荆盆为500Gy(Si)时，其T,从辐 照前的不到6ns增加到了80。左右，而变化最小的。V偏it条件下T,仅增加约lone,浮空偏 tI状态下的T变化幅度则在上述两种之间.这一实验现象表明，高速CMOS电路的总剂盆辐 6 照时间响应特性对辐照偏贵表现出相当强的依赖性，而这种依赖性与阅电压、静态功耗电流的 辐照撅伤对辐照偏置的依赖性具有一致性，显示有相同的最劣辐照偏里。 . . 、 目 妙 了 t . - .万 5v ‘ ‘ . 100 总知且了C， _L冬。)