界面插入Cr层对NiFePtMn交换偏置的影响研究.pdfVIP

丝 丝 堕 料 2006年增刊(37)卷 界面插入Cr层对NiFe／PtMn交换偏置的影晌+ 梁珂，姜宏伟 (首都师范大学物理系，北京100037) 摘要：用磁控溅射法制备了NiFe／PtMn双层膜， 2实验 研究了在界面加入少量的Cr对交换偏置场的影响。 结果发现：在Pt成分较高时，界面加Cr对反铁磁层为 采用JGP560B型高真空多功能磁控溅射设备制 临界厚度时的交换偏置场影响最大，增大了l_5倍，选 到了最大值。XRD结果表明加入Cr插入层使反铁磁 表面对称的放置形状规则的Pt片制备Pt。。。；Mn。。。 层具有更好的织构。同时界面加Cr减小了PtMn的 (文章中以后用PtMn表示)薄膜；磁性层Ni。。Fe。。 临界厚度。 关键词：临界厚度；交换偏簧；巨磁电阻 中圈分类号：TN304 文献标识码：A X 层cr的沉积速率约为0．05nm／s。本底真空优于5 10 文章编号：100l一9731(2006)增刊一0140—03 5Pa，工作气体为高纯氩气}工作气压为5×101 Pa；基片栗用水冷；在制备过程中沿平行基片的表面方 1引言 在铁磁(FM)／反铁磁(AFM)双层膜中，由于铁磁空环境下(10Pa)，300℃下退火2h，退火时在平行于 和反铁磁材料之间的交换耦合作用会在铁磁材料中产 原来样品的易轴方向加约637kA／m的磁场。 生一个单方向的各向异性场，它在磁滞回线中表现为 用振动样品磁强计(VSM)测量样品的磁滞回线， 回线中心相对零场的漂移。即反铁磁材料给铁磁材料 交换偏置场根据磁滞回线中心的偏移来得到，x射线 一个单方向的钉扎场H。也就是交换偏置场。这一 衍射(XRD)给出结构的信息。 现象最早是Meiklejohn和Bean在C00／Co颗粒中发 3实验结果和讨论 现“’”。近10年来交换偏置现象被广泛地应用于巨磁 电阻(GMR)自旋阀多层膜和磁隧道结中，其在信息存3．1 反铁磁层PtMn的厚度为临界厚度时．界面Cr 储技术中有着重要的应用。 插入层厚度对交换偏置的影响 一般认为交换偏置场与反铁磁层厚度的关系总的 在以前的文献中，发现在双层膜的反铁磁层界面 趋势是，当反铁磁层很厚时，交换偏置场为一常数。 处插入cr元素可以提高电阻率和抗腐蚀性o“]，但往 随着反铁磁层厚度的减小，交换偏置场急剧减小。当 往会使交换偏置大大的下降。我们选择反铁磁层中 反铁磁层的厚度小于一临界值时．交换偏置场趋向于 Pt元素比Mn元素多，而且在经过退火后可以形成较 零。即反铁磁层需要一定的厚度才形成稳定的磁结 大的交换偏置场的系列。 构，从而形成稳定的交换偏置场。根据Meiklejohn— 要在铁磁层中产生交换偏置场，反铁磁层需要一 Bean的理论模型，交换耦合是一种Heisenberg相互 定的厚度去形成稳定的磁结构。把一系列样品中的交 作用，与界面耦合能AE成正比。界面的耦合作用能 换偏置场达到最大交换偏置场的一半时所需的反铁磁 和反铁磁的厚度是形成较大的交换偏置场两个重要因 层的厚度定义为临界厚度(t。)。在临界厚度附近，