单片开关电源电磁干扰的分析及抑制方法.pdfVIP

电子测量与仪器学报 2000增刊 单片开关电源电磁干扰的分析及抑制方法 沙占友 张 英 李春明 王晓君 (河北科技大学电子信息工程系，石家庄 050054 [摘要]单片开关电源是国际上 90年代中、后期研制的新型高集成度、高性价比的开关电源集成电路.本 文首先分析其电磁千扰 (EYI)的成因，然后阐述从电路设计和制作工艺上有效抑制电磁干扰的方法。 关锐词:单片开关电源 电磁干扰 电，容性抑制啦}EN}}i$c$r! 1 引 言 单片开关电源具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标等优点，能构成高 效率、反馈式无工频变压器的开关电源。它于90年代中、后期相继问世后，便显示出强大的生 命力，现已成为国际上开发中、小功率开关电源、精密开关电源及电源模块的优选 IC。目前单 片开关电源已形成六大系列、80多种型号的产品，包括美国Power公司于1994年--2000年陆续 推出的TOPSwitch,TOPSwitch-11,TinySwitch,下NY256、丁。PSwitch-FX五大系列，以及Motorola 公司1999年研制的MC33370系列。以TOPSwitch和TOPSwitch-11为例，它们均属于三端器件， 三个引出端分别为漏极D,源极S、控制端C。芯片内部包含高压电流源、荃准电压源、振荡器、 并联调整器/误差放大器、脉宽调制 (PWM)控制器、门驱动级和功率开关管、过流保护电路、 过热保护及上电复位电路、关断/自动重启动电路、高压电流源。 单片开关电源工作在高频、高压、大电流的开关状态，为保证其正常工作而又不对同一电 磁环境中其他电子设备产生干扰，就必须抑制开关电源产生的电磁千扰以及外部千扰，改善其 电磁兼容性 (EMC)。 2 单片开关电源电磁干扰的分析 (1)外部千扰 外部干扰主要指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬态干扰。其特点是作 用时间极短，但电压幅度高、瞬态能t大。瞬态干扰会造成单片开关电濒物出电压的波动:当 瞬态电压亚加在整流滤波后的直流愉入电压V.上，使V。超过内部功率开关管 (MOSFET)的漏 一源击穿电压V(sB)DS时，还会损坏TOPSwitch芯片. (2)内部干扰 ① 尖峰电压 在内部功率开关管关断的瞬间。初级绕组上会产生感应电压Votl。此外，高频变压器的漏感 L，还会产生尖峰电压V,.。二者益加在直流电压V.上，会导致总输入电压升高。以TOPSwitch- 11为例，其漏一源击穿电压V(ea)Ds%700V，当交流轴入电压u=230士15%、占空比D-26%时V,m. 、1.414u二=1.414X(1+15%)·u=375V,VoR=135V(典型值)，V}165V(近似值).这三个 电压1加后，总幅度达675V。已接近 ，oov。各电压参数的电位分布如图】所示。显然，当漏 感较大时，极易损坏芯片.为确保开关电源安全可靠地工作，须增加漏极钳位保护电路，将 (V,,十Vc)之和钳制在200V上，VB即钳位电压.在环境漫度升高时，V(BR)DS可大于70OV} 445 电子测量与仪器学报 2000增刊 此时VB随之升高到VBM值，Vni-1.4Vg.为提高 fT丝二艺二二丁二二二二二一 安全系数，最大漏极电压应由下式确定: 钾 iIIII]T1fI11TI[一 VD-=V,~十1.4x1.5v,十20V (1) .抽侧 v产.脚 ， ② 振铃电压 」__」__ 9r月幻v _设高频变压器的初级电流为 1,,漏源·极电压 为V