集成电路工艺第九章：化学机械抛光.pptVIP

第九章：化学机械抛光 9.1 引 言 硅片的表面起伏问题 在IC工艺技术发展过程中，遇到了硅片的表面起伏（即不平坦）这个非常严重的问题，它使亚微米光刻无法进行，表面起伏使光刻胶的厚度不均、超出光刻机的焦深范围，无法实现亚微米线宽的图形转移。 硅片的表面起伏问题 平坦化的定性说明 平坦化的定性说明 9.2 传统的平坦化技术 传统的平坦化技术 1. 反刻 2. 玻璃回流 3. 旋涂膜层 1. 反刻（回蚀） 在表面起伏的硅片上涂上一层光刻胶或其它材料做为平坦化的牺牲层，然后利用比牺牲层快的刻蚀速率刻蚀高处部分的过程称为反刻（也称为回蚀）。反刻能达到局部平坦化。 1. 反刻（回蚀） 2. 玻璃回流 玻璃回流是利用硼磷硅玻璃（BPSG）在高温（通常为850℃左右）的流动性进行的平坦化过程。玻璃回流只能达到部分平坦化，它不能满足亚微米IC中的多层金属布线技术的要求。 2. 玻璃回流 3. 旋涂膜层 通过在表面起伏的硅片上旋涂液体层间介质材料获得平坦化的技术。旋涂膜层技术在0.35μm及以上器件的制造中应用普遍。 3. 旋涂膜层 9.3 化学机械平坦化 化学机械平坦化CMP （Chemical Mechanical Planarization）也称为化学机械抛光CMP（Chemical Mechanical Polish）是通过化