快速光热退火制备多晶硅薄膜.PDFVIP

维普资讯 SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICS Vo1．26No．2 Apr．2005 快速光热退火制备多晶硅薄膜 张宇翔，卢景霄，杨仕娥 ，王海燕， 陈永生，冯 团辉，李 瑞，郭 敏 (郑州大学 物理T程学院。河南 郑州 450052) 摘 要： 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜，再用卤钨灯照射的方法对其进 行快速光热退火，得到了多晶硅薄膜，它与传统退火相 比，退火时间大大缩短。用XRD衍射谱、暗 电导率和拉曼光谱等手段对其进行 了测量。对部分样品的照射光做 了滤波，滤掉 了波长600nm 以 下的光，发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响。 关键词 ： 多晶硅薄膜 ；快速光热退火 ；固相晶化 中图分类号：TN304．8 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(2005)02—0128—03 PolycrystallineSiliconFilmsPreparedbyRapidPhoto-thermalAnnealing ZHANG Yu—xiang，LU Jing—xiao，YANG Shi—e，WANGHai—yan， CHEN Yong—sheng，FENG Tuan—hui，LIRui，GU0 M in (CollegeofPhysicalScienceandTechnology，ZhengzhouUniversity，Zhongzhou450052，CHN) Abstract： Amorphoussiliconwasdepositedbyplasmaenhancedchemicalvapordeposition (PECVD)andannealedrapidlybytungstenhalogenlampsheating．Theprocesscancrystallizean amorphoussiliconinlessduration，withlowerthermalbudgetthantraditionalfurnaceannealing． Thestructureoftheobtainedpoly—Sifilm isstudiedbyXRD andRamanspectroscopyand dark conductivity．Itisfoundthatthelightfilteredoffsomewavelengthsbelow 600nm willinfluence thecrystallizationandthecrystalsize． Key words： polycrystalline silicon films； rapid photo—thermal annealing； solid—phase crystallization 1 引言 大的晶粒 ；(4)晶化时间很短。 在我们的研究中，试图找出在卤钨灯照射下的 由于多晶硅薄膜成本低 、易于大面积制作，因而 氢化非晶硅薄膜在 750～1000℃的光退火的一些 适于用在太阳能电池和一些器件的制造上 。许多研 规律性。我们利用 XRD、电导率测试仪和拉曼谱仪 究小组正在积极地进行多晶硅薄膜的制备技术的研 对晶化后的样品进行了测试。 究[】]。晶化技术包括固相晶化 、直接化学气相沉积 和激光晶化等。然而，这些技术有的要求有很高的 2 氢化非晶硅薄膜的制备及其快速光 晶化温度 ，有的要求有很长的晶化时间，结果，由于 退火晶化实验 耗能的提高、衬底的限制，使得降低成本非常困难。 我们着重研