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考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型.PDF
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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考虑量子化效应的!#$% 阈值电压解析模型!
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代月花 陈军宁 柯导明 孙家讹
（安徽大学电子科学与技术学院，合肥 #$$#% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了
*+,-./ 的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较0
关键词：量子效应，阈值电压，反型层，表面势
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功函数 !, 随掺杂浓度增大而越来越大，如果栅用
(A 引 言 金属（如 ），其功函数为 ，根据文献［］，
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，在 型半导体硅的表面形成一个负的空间电荷
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现代超大规模集成电路中器件尺寸越来越 区，其中电场方向由表面指向体内， 现规定
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小 ，在高的掺杂浓度和强的纵向电场的影响下沟
垂直 界面指向 体内的方向为 轴正向，且
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道内的电子输运特性就会发生改变，在平行于 ,63
取,63,6+ 界面处为 % E $ 0 故
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