阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75NGaNHEMTs击穿特性分析.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 5 (2014) 057302 阶梯AlGaN外延新型AlGaN/GaN HEMTs击穿特性分析 段宝兴 杨银堂 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071) ( 2013 年11 月3 日收到; 2013 年11 月28 日收到修改稿) 为了优化AlGaN/GaN HEMTs 器件表面电场, 提高击穿电压, 本文首次提出了一种新型阶梯Al- GaN/GaN HEMTs 结构. 新结构利用AlGaN/GaN 异质结形成的2DEG 浓度随外延AlGaN 层厚度降低而 减小的规律, 通过减薄靠近栅边缘外延的AlGaN 层, 使沟道2DEG 浓度分区, 形成栅边缘低浓度2DEG 区, 低的2DEG 使阶梯AlGaN 交界出现新的电场峰, 新电场峰的出现有效降低了栅边缘的高峰电场, 优化了 AlGaN/GaN HEMTs 器件的表面电场分布, 使器件击穿电压从传统结构的446 V, 提高到新结构的640 V. 为 了获得与实际测试结果一致的击穿曲线, 本文在GaN 缓冲层中设定了一定浓度的受主型缺陷, 通过仿真分析 验证了国际上外延GaN 缓冲层时掺入受主型离子的原因, 并通过仿真分析获得了与实际测试结果一致的击 穿曲线. 关键词: AlGaN/GaN, 表面电场, 击穿电压, 异质结 PACS: 73.40.Kp, 73.40.Vz, 73.61.Ey DOI: 10.7498/aps.63.057302 已经设计了很多提高功率器件击穿电压的方法和 1 引 言 技术1623 . 但是, AlGaN/GaN HEMTs 器件的特 殊耐压机理使得设计优化高击穿电压的硅技术不 氮化镓(GaN) 是第三代宽禁带半导体材料的 能直接移植22 . 代表, 在大功率开关方面的品质因子BFOM 是硅 AlGaN/GaN 异质结的极化效应形成了高密度 材料的39 倍, 所以GaN 宽禁带半导体材料在高频、 2DEG, 异质结的极化包括压电极化和材料自发极 高温、大功率和抗辐照环境条件下具有超强的优 化, 为了屏蔽这种极化感应电荷, 在GaN 表面的 势12 , 制备的功率半导体器件是下一代高性能功 低势垒沟道区形成了用于导电的高密度2DEG. 使 率系统的核心34 . 目前, 由于材料质量和器件制 得AlGaN/GaN HEMTs 器件的耐压机理与传统Si 备工艺技术的提高, GaN 基功率微波器件的功率 基pn 结或MOS 结构不同, 具有特殊性. 相同之处 密度可以高达GaAs 基器件的5—10 倍, 高的功率 在于随着漏端电压的增加, AlGaN/GaN HEMTs 密度可以简化微波功率集成电路的设计和制备. 器件的栅电极边缘出现高电场, 当电场强度达到 AlGaN/GaN HEMTs 器件的研究主要包括通过电 GaN 材料临界击穿电场时器件击穿, 为了降低栅 场优化提高击穿电压511 、通过结构设计缓解电 边缘的高峰电场, 硅基功率器件利用了RESURF 流崩塌1213 以及提高器件可靠性1415 . 实现一定 技术24 , 为了进一步降低体内高电场, 研究者提出 功率密度和满足特定电压转换的功率器件, 击穿电 19 了REBULF 技术 . 文献[23] 通过氟离子注入技 压