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2018-01-12 发布于上海
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MoSi2和WSi2的价电子结构及性能分析

第42卷第11期金属学坂 Vol·42No．11 SINICANov．2006125—1129 ACTAMETALLURGICA PP．1 2006年ii月 1125—1129页 MoSi2和WSi2的价电子结构及性能分析彭可易茂中冉丽萍 (中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙410083) 摘要根据固体与分子经验电子理论，对MoSi2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析，通过键距差方法计算了MoSb．最强，这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点．晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性， MoSi2晶体中含有原因．关键词MoSi2，WSis，价电子，硬度，导电率中图法分类号TGl48 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2006)11—1125～05 ANAL-ySISOFVALENCEELECTRoNIC ANDPRoPERTIESoF AND MoSi2 WSi2 PENG Ke。YIMaozhong，RANL谗ing State forPowder South KeyLaboratory Metallurgy，CentralUniversity,Changsha，410083 Correspondent：YI Foundation andPh|DFoundation NationalNaturalScience 1 Supportedby ofChina(No．50l2018 Education ofMinistryof ofChina(No．2004053300疗) 2006—06-19 Manuscriptreceived2006—04-12，inrevisedform ABSTRACTtothe electronofsolidsandmolecules，thevalenceelectron Accordingempiricaltheory were thenumbersofvalenceelectronson structuresof and studied，and MoSi2WSi2 quantitatively the ofbond bondin and werecalculatedmethod difierence．The every MoSi2WSi2crystals by length resultsshowedthatthe bondsintheunitcellsof and wereMo-SiandW—Si strongest MoSi2WSi2 bond valenceelectronnumbersandthebond have along(331)direction，respectively，whose energy and ofthetwo thenum