室温溅射掺铝氧化锌薄膜的微结构及其光学性能.pdf

第35卷 第5期 玉林师范学院学报 (自然科学) Vo1．35No．5 2014正 JOURNAL OFYULIN NORMALUNIVERSITY (NaturalScience) 室温溅射掺铝氧化锌薄膜的微结构 及其光学性能 口翟旺建’，周兆彪 (1．玉林师范学院 物理科学与工程技术学院，广西 玉林 537000 2．富川葛坡初级中学 广西 贺州 542703) [摘 要】以硝酸铝晶体和氧化锌粉末为原料，A1和Zn摩尔比为3：100，制备了相对密度为 96％、电阻率为2．5×10 Qc·m的掺铝氧化锌 (AZO)陶瓷靶材．采用直流磁控溅射法，室温条件 下，在玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜．利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的微结构．薄 膜晶粒尺寸大，分布均匀，可见光透过率为89．92％，光学带隙E为2．18eV，Urbach~量E为3．9 eV，折射率n随波长的增大，先减小后增大，最后趋于稳定． [关键词】掺铝氧化锌；室温；直流磁控溅射；折射率 [中图分类号】TB43文【献标识码】A[文章编号】1004-4671(2014)05—0025—04 明导电薄膜主要用于液晶显示器 (LCD)、等离子显示器 (PDP)、触摸屏 (TOUChPane1)、 太阳能电池 以及其他光 电器件的窗 口材料．常见的透明导电薄膜有掺锡氧化铟 (ITO)、掺铝氧 固化锌 (AZO)等阻 ．由于氧化锌无毒，自然界中铝储量丰富，AZO成为近年来透 明导电薄膜研究 的热点．尤其 日本和韩国在AZO薄膜 的低温溅射技术、薄膜生长机理方面进行了深入 的研究。。，． 为提高 掺杂的均匀性，制备透光率高、表面粗糙度低的AZO薄膜，笔者以硝酸铝晶体和氧化锌粉 末为原料，制备出高致密度、高导电性的AZO陶瓷靶材，并用所制备的靶材在室温下磁控溅射制备AZO 透明导 电薄膜 ，对薄膜的微观形貌和光学性能作了初步研究． 1实验 1．1AZO陶瓷靶材的制备 以氧化锌粉体和硝酸铝晶体为原料，无水乙醇为球磨溶液，Al和Zn原子比3：100称取原料，湿式球磨 2h．球磨浆料制成靶坯在600 ℃下预烧结，靶坯粉碎后再压制成块，以5~C／min的速度升温，在1400℃下 常压烧结2h，自然冷却． 1．2AZO透 明导电薄膜的制备 使用烧成的AZO陶瓷靶材，在室温情况下，玻璃基片上用磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜．衬底与 靶材相距7．5cm，真空度抽至3X10一Pa，充入纯Ar气，当气压升至4Pa，功率调为71w ，溅射90min． 2 实验结果与讨论 2．1AZO透 明导电薄膜的微观形貌 利用排水法测得AZO靶材相对密度为96％，用四探针法测得电阻率为2．5×10 Qc·m，薄膜性能指标 收【稿 日期】2014—08—31 基【金项 目】广西教育厅高校科研项 目 (LX2014305)；玉林师范学院校级科研项 目 (2013YJYB10)。 作【者简介】 翟旺建 (19844)，男，瑶族，广西贺州人，玉林师范学院物理科学与工程技术学院助教，硕士。研究方 向：功能陶瓷材料的制备、半导体量子点电子态和光学性质计算。 25}l 翟旺建，周兆彪 室温溅射掺铝氧化锌薄膜的微结构及其光学性能 (hva)。=C(hv一 ) (2) 其中E为薄膜光学带隙， 为吸收系数，C为常数， v为入射光子能量．拟合出 (1．z1，口)。一hv曲线，如图4 所示，AZO~ 的光学带隙即为吸收边切线在 1，轴的截距，其值约为2．18eV，小于zno本征禁带宽度 3．37eV ．光学带隙宽度主要受杂质和缺陷的影响 ．实验 中，室温条件下制备的Azo薄膜缺陷和杂质浓 度较高，导致缺陷态波函数发生重叠，缺陷能级分裂成能带，最后与导带发生重叠，这相当于导带下 移，