LDMOS漂移区结构优化的模拟研究.pdfVIP

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2018-01-06 发布于未知
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LDMOS漂移区结构优化的模拟研究.pdf

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2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LDMOS漂移区结构优化的模拟徐亮1刘先锋2郑国祥1 摘要：RESURFLDMOS很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了 Double RESURF(双重降低表面电场)新结构，使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了 DoubleRESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果。同时，在LDMOS结构中加入DoubleRESURF结构也降低了工艺上对精度的要求。为新结构和新工艺的开发研制作前期设计和评估。关键词：横向双扩散金属氧化物晶体管；双重降低表面电场；P型表面注入层；导通电阻；击穿电压中图分类号：文献标识码：文章编号： Simulat。O士ofLDMOS0 Driftr1t nolcigeRRegion Structureimization Opt l 2 l XU LIU ZHENG Liang Xianfeng Guoxiang ofMaterialsScienceofFudan (1Department University,ShanghaL200433,删 SIM-BCDSemiconductorManufac (‘Shanghai turingCo,LTB,ShanghaL200233,删 Abstract：AconventionalRESURFLDMOScouldnot a off—state posseshigh lowon—stateresistance．Tomake breakdownwhile a drift voltageachieving region REduceSURFace mucheasier，aDoubleRESURF(Double electronicfield) deplete structureisstudiedinthis mechanismof breakdown paper，the raising voltage inthesameconcentrationofdrift asRESURF theon—state region LDMOS，andreducing resistancewhile thebreakdownfrom both voltagedropping，are preventing analyzed andverifiedSimulation．A ofthestructure