L波段220W大功率晶体管设计与制造研究.pdfVIP

L波段220W大功率晶体管设汁与制造 刘六亭 蔡勇 (南京电子P,件研究所，210016) 摘要:本文从实际工艺出发，探讨了L波段220W大功率管的设计与实验结果。 总结了影响大功率管输出特性的因素，实现了L3Gliz下5胞匹配输出203W(10us)的 阶段性成果。 关键词:T形结构，散热件，内匹配，梳状结构 一、 引言 随着微电子技术的发展，固态微波器件向着更高频率、更大功率的方向发展。尤 其此类器件在军事领域的应用价值，更加剧了这种发展趋势。硅双极型微波脉冲功率管 由于其体积小、重量轻、工艺成熟、可靠性高等优点，非常适用于固态相控阵雷达的末 级输出，固而倍受青睐。国外多家公司如M/A-com,TRW等己商品化了此类器件，而我 国还较落后.必须加紧硅脉冲功率管的研制。本文介绍了在现有设备条件下，利用掺砷 多晶硅作发射极 自对准工艺，发射极二次镇流技术在研制 L波段 220W脉冲功率管方面 取得的进展。 二、器件设计与制造 2.1 1.2-1.4GHz 220W硅脉冲功率管设计指标 Vcao VE即 Pour! { 11 t D } G, ! 3V 220W 50% ! 10% { 75v 1 _7.4dB } 1001xs 22 设计出发点 硅微波功率管的设计是一个复杂问题，众多的电学参数对结构的要求往往相互矛 盾，所谓优化设计是指选择最佳结构使各电学参数都能满足设计要求。硅微波功率晶体 管的设计需从两方面考虑o 从频率方面考虑 : 硅微波管的最高振荡频率、=万「井-,C1、): La7rlrb十rb少 」 f二与功率增益G的关系可表示为f-=fx106/20 (2) 特征频率ft可表示为 1 _ 「，_ _、W _ x 1 一 - 关 一 2司川C_+C1+一一』~‘+rL;，十一一-~I L”’‘、’n妙 “2V.1 (3) 一 一 }n[r.+71,+r}十司 由以上公式可知:为提高频率响应和功率增益，势必减小电子在基区和集电结势垒 区的渡越时间:。和T}，同时也要减小发射结延迟时间:。和集电结延迟时间:。。因此从频 率和增益的角度而言，硅微波功率晶体管的设计原则是浅结.薄基区.尽可能小的结电 容 合适的基区杂质分布。 从功率方面考虑: 一751一 自目治红 wif功率刚农1,为 P,,-tl1,V} 勺‘