MBE生长实用化高质量pHEMT结构材料研究.pdfVIP

洲目目年10月 ·广西 ·北海 hME生长实用化高质量 结构材料 王宝强 曹 听 曾一平 中〔国科学院半导体研究所 北京市912信箱 100083) 反乞本文给出一种用MBE方法制备实用的p-HEMT材料方法，其2DEG浓度随材料结 构的不同在2.04.OX1012CM-2之间，室温属耳迁移率在5000fi5Wcm2Vs1之间。厚 度不均匀511.5;组分不均匀S11.5;浓度不均匀511.5;表面缺陷密度m/0o?5c1 ;通过与器 件单位的合作，制备出的姗长为。.7pmp-HEMf器件的直流参数为:坛-280mA/mm, 】-~520-580mA/m2n,gm一320-40OMS/mm,BVMI15V(IDS=1mA/mm),BVGSloV, 微波特性:Pp-600-900mW/mm,。610Bd,rI,w-40-60%;姗长为0.411m的器件的 直流参数:1_-800mA/mm,g.400mS/mm. 1.背景和问压 随着徽波、毫米波器件以及集成电路的发展，P-HEMT功率器件在高功率、高效率、优 良的线性以及能在较大的电压范围内正常工作等特点，正在被众多的设计人员所童视 并 被应用于相控阵雷达、卫星通讯和个人通讯系统中。由此产生了巨大的电路及器件骼求市 场，这就必将需要一个有实用化背景的徽结构材料生产体系做依托，我们正是在此前提下， 开展了M旧E生长的高质量双80杂p-HEMT纳构功率器件的实用化材料研究。提供优良的 p-HEMF功率器件偏要优质的材料。双80杂p}HEMf结构材料的研究中存在以下几个问 厄.第一，材料在进行了硅 睐后，在以后的生长过程中，不可避免地硅要扩散、分凝， 使之难以形成分布陡峭的掺杂分布、第二，为了提商沟遭的迁移率。要求异质结界面突变， 且单原子层平整，这也是较难达到的 ‘第三，为研制优良器件要求材料有较高的二维电子 气(2DEG)密度和较高的载流子迁移率，而提高二维电手气(2DEG)密度和提离载流子 迁移率往往相矛盾，使得材料结构设计时难以在二者之间折衷。第四，对于实用花材料应 达到高质量、高重复稳定。本文充分考虑了以上材料生长的难点.进行了结构设计的优化 和生长工艺的优化。目前已取得重大进展 ‘ 2.材料生长及特性 材料生长的采用是PE】公司的GENn型分子束外延设备 ‘衬底采用AXT公司的半绝 缘GaAs(10(1)衬底。材料的基本结构见表(l): 首先。为了解决了硅剐参杂后扩散、分凝的问题，通过优化控制生长时衬底的沮度，并 采用低温生长的AlGaAs作阻挡层，形成了分布陡峭的掺杂。在InGaAs沟道生长工艺中， 采取了特殊的生长工艺，改善了InGaAs沟道中如分凝的问题;采取了界面生长停顿、降 沮、生长GaAs单原子层平整界面等技术，解决了异质结界面的突变和单原子层平整。达 到了器件要求的电学参数.通过研究材料质11与器件特性的关系发现，影响器件特性的一 个关健性因素是外延层中电子从硅S掺杂层转移到沟道中的效率。如果转移效率低，没有转 2以扣年10月，广西。北海 第七届全国固体薄膜学术会议 移到沟道的电子将在硅各掺杂层中形成一个屏蔽层。这样的材料制备成器件后，该屏蔽 苦认人 结构 厚度 nnl〔) 揍杂浓度 G几AS 50 2X1018cm.3 A肠公Gao翻As 3-035 6一51 今sxlolZcnl在 A花力G氏1月沪sPs ‘re 2一5 巩ZC气产5 1冬15 A坛，2日为器AsSPa以 2-4 6一51 IX10IZcm夕 A与刀日黝湘As