MEVVA金属离子源弧电源的改进研究.pdfVIP

MEVVA金属离子源弧电源的改进 蒲世豪 马山明 龚晓荣 赵军 核〔工业西南物理研究院粒了束中心，成都610041) 摘要 介绍在现有弧电源基础上进行的几点改进丁_作，主要是改造主弧电源和设计阴极自动推进电路，此项工作对于 MEVVA金属离子源的推广运用具有很强的实用价值. 关健词 MEVVA金属离子源 真空弧放电 阴极推进 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 驱动电路 1引 言 MEVVA金属离子源采用真空弧放电形成等离子体，通过栅极系统引出，工作于脉冲方式，弧放电 脉冲的优劣直接决定离子源的工作状况。以前的弧放电脉冲由脉冲LC形成线产生，此方式很大的缺限 在于其特性阻抗 (工。)和脉宽 (0.6ms或1.2ms)不便调整，不利于MEWA金属离子源调整工作状态， 如图1。同时，在MEVVA金属离子源工作过程中。阴极经弧放电会逐渐烧蚀，需要适当推进以稳定阴、 阳极相对位置，从而保证弧电源负载阻抗的相对稳定。因此阴极的适当推进是保证离子源正常工作及参 数重复性的必要措施。下面就这两个问题分别论述。 一丁丁一.扛一 ’‘ 图 丢 2电路设计 2.1主弧电源 在此我们采用绝缘栅双极品体管 (IGBT)作为开关器件，得到脉宽连续可调的弧放电脉冲，并且有 效的避开了弧电源输出阻抗与真空弧阻抗的匹配问题，如图2: 图2 图2中C1为滤波电容，C2为储能电容，L为霍尔电流传感器，现选用LT200-T型，反应时间低 于Ius,测星电流比200/0.IA,IGBT由于其开关频率高、通态电流大等优点受到广大用用户的青睐， 其驱动电路EXB84系列为广人用户常用，在使月过程中发现它存在诸多缺陷。L . 图3 EXB841内部电路 (1)EXB841模块对快恢复整流二极管D2S_作特性要求严格，其原配型号为ERA34-10，反向击穿电压 为1000V，反向恢复时间为150us，正向导通压降为3V，此二极管在目前国内市场上罕见，常见的 正向压降为0.7V--1.3V的快恢复整流二极管无法替代其使用。 (2)此驱动电路无锁存功能。过载保护时，只能把一长时间过载脉冲转变为多个过载窄脉冲，若过载电 流太大或长期在此窄脉冲万过流，IGB丁仍然会损坏 (3)EXB841设置的一5V栅压功率偏小，电压实际上不到5V，不能很好地抑制IGBT栅极的电压波动，从 而造成IGBT损坏。 鉴于以上几点，本文介绍一种利用分立元件构成的结构简单、廉价适用的驱动电路，如图4: 功能框图如图5: 图5 驱动电路工作原理如下:光祸输入辐值12V,脉宽在0-2ms内连续可调的触发脉冲信号，在触发 脉冲时间内，BG1截止，BG2导通，驱动电路输出触发信号，此触发信号幅值受D2,D3控制钳位在15V, 电流传感器LT200-T检测出负载电流信号，送至电压比较器LM311的2脚.不过载时，2脚脉冲电压 幅值低于3脚电位，LM31!的7脚输出为持续低电平，BG4,BG5截止，触发脉冲正常，当过载发生时， 2脚脉冲电压幅值高于3脚电位，7脚输出一正向触发脉冲，BG5导通，CI经Rll放电，同时CD4098 的10脚输出一脉宽大于触发信号脉宽的脉冲信号，在此时间内，BG4导通，使BG2蓦极维持低电平状 态，BG2截止，触发信号被封锁，达到过流保护目的。R11与CI构成的缓降栅压时间约44s，加上 过载信号处理过程中的反应延时，总的过载维持时间约8-10us，对IGBT不构成损坏。 此驱动电路中所需的24V,士15V,6V电源均为三端稳压器提供，功率充足。 V型槽金属氧化物半导体场效应管 (VMOSFET)与IGBT均为栅极电压控制型功率开关器件，输 入阻抗高 (约 loan)，增益高达 10^-1