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．142· 中国太阳能光伏进展
●
太阳电池前电极应用
’j
．
陈新亮 薛俊明 陈飞赵颖耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所＆光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室
南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071
【摘要】 本文研究了金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术制备的B掺杂ZnO薄膜。
sccm条件下，我们生长出了厚度为
通过B掺杂的系列实验，在B2H6流量为10
1 000 X
nm、类金字塔状绒面结构、电阻率为1．210一flcm、平均透过率～85％
和迁移率为～30cm2／Vs的ZnO薄膜。将其用作硅薄膜太阳电池的前电极，电
Sn02作前电极的电池相当。
池性能与日本Asahi-UType
【关键词】 ZnO薄膜MOCVD技术前电极薄膜太阳电池
’，
-
ZnoFilmsGrownMocvdAndFrontElectrode
Boron-Doped By
InSi．BasedThinFilmSolarCells
×．L．ChenJ．M．XueF．Chen
Y．Zhao×．H．Geng
InstituteofPhoto-ElectronicThinFilmDevices 300071；
of InformationScienceand for of
KeyLaboratoryOpto-Electronic TechnologyMinistryEducation，
Nankai
University，Tianjin，300071
0引言
透明电极。然而，它们在氢等离子体氛围和高的生长温度(如～500。C)环境下光学特性发
生恶化，限制了其在si薄膜太阳电池中作为透明导电薄膜的应用。随后，ZnO薄膜引起了科
研工作者的广泛兴趣，它不仅可以在氢等离子体环境中具有高的稳定性并且能够实现优良光
电特性(低电阻率、绒面结构，高透过率)的低温生长，从而成为薄膜太阳电池中极具竞争
力的透明导电氧化物薄膜(TCO)[1～310
cmX6
目前，我们利用MOCVD技术在玻璃衬底上(6cm)生长出了光电特性良好的Si
薄膜太阳电池用前电极ZnO薄膜。在同等si薄膜太阳电池制备条件下，与日本Asahi—UType
Sn02薄膜相比较，其具有良好的前电极应用效果。
薄膜硅太阳电池及材料．14．3．
1实验方法
于温控水浴罐中，经由Ar气鼓泡并携带反应气源进入反应室；实验中，二乙基锌DEZn和水
H20的温控水浴罐分别稳定在600C和400C；二乙基锌和水的流量分别设定为202．10lxmol／min
和447．75gmol／min，真空室反应气压为200Pa，衬底为玻璃，温度设置在150
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