Ｂｅ〈’＋〉注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ形成Ｐ型层与检测研究.pdfVIP

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2018-01-11 发布于未知
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Ｂｅ〈’＋〉注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ形成Ｐ型层与检测研究.pdf

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湖南 ·长沙 Be+注入 InGaAs/InP形成 P型层与检测’ 杨茹，‘李国辉1，朱红青t，曾一平2,潘*2.张方方2 (1北京师范大学低能核物理研究所，北京 100875; 2中科院半导体所北京辐射中,}，4b京 100083) 摘要:为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在InGaAs/InP材抖中形成P型墓区。选用 80keV4.5x1012/.213e160keV4x1012/cm2Be离子注入n型InGaAs/InP材杆中进行补修而得到P型区,C-Vmq试载流子刹面分布有比较理想的结果，实现了在270-610nm深度上的P型层。为了制作光电晶体管，要腐触到P区，制作塞极欧姆接触，在腐扯速度未知的情况下，根据肖特基接触的原理，用两探针方法进行检浏，确定了实际工艺过程中的条件，得到了良好的发射极特性.〕关健词:InGaAs/InP,离子注入;两探针检洲方法;Vi特基接触 1 实验方法及讨论 (1) Be注人n型InGaA,,/In形成P型层 InG} 材料的光响应波长为1.6pm，光纤通讯中，1.6pm波长的光在光导纤维中的扭耗最小，所以研制高增益，低噪声InGaAs/InP的新结构(11光电探侧器对光纤通讯的贡献是不言， J . 而喻的。，， . . ，研制光电探测器所需的材料结构如图1所示，但在材料的生长过N中很难生长出礴t的 . P型掺杂区。中科院半导体所中心新材料部MBE方法生长了没有P区的n型InGaAs/InP材 . ‘ 口 . . . 料，它的C-V测试载流子剖面分布如图2所示。本文设计在n型InGA‘材料中，通过注入 J . Be离子进行补偿而得到P型区。 __