PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究.pdfVIP

第32卷第l期 太阳能学报 V01．32．No．1 2011年1月 ACrAENERGIAEsoL^RIsS咖(A J抽．，2叭l PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 刘志平1’2，赵谡玲1，徐征1，刘金虎1’2，李栋才1’2 (1．北京交通大学太阳能研究所。北京100044；2．北京中联科伟达技术股份有限公司，北京100044) 摘要：采用等离子体增强型化学气相沉积(PEc、，D)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜，通过数 值分析和实验研究的方法讨论了压强、s氓，NH3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀 条件下生长出平均膜厚为75砌、折射率为2．05、少子寿命相对较高的氮化硅膜，且应用于单晶整舟为l鹤片的管式 PECvD设备，片间膜厚级差在5啪以内，而折射率级差在0．3以内，少子寿命可提高约30％。 关键词：眦Ⅷ；氮化硅；镀膜工艺；少子寿命 中图分类号：TK513 文献标识码：A