基于0.35μm BCD工艺下50V HVPMOS的电学性能优化.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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基于0.35μm BCD工艺下50V HVPMOS的电学性能优化.pdf

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第19卷第6期上海戈罕f报(自然科学版) V01．19No．6 JOURNALOFSHANGHAI Dec．2013 2013年12月 UNIVERSITY(NATURALSCIENCE) DOI：10．3969／j．issn．1007—2861．2013．06．004 V 50 基于O．35 BCD：r_zT gm 邹荣1，闵嘉华1，储楚2，梁小燕1，张涛1，滕家琪1 2．上海大学微电子研究与开发中心，上海200072) f1．上海大学材料科学与工程学院，上海200072 摘要：为提高o．35 30_40—50V VHVPMOS的电学性能，在不改变 Bm BCD(bipolar—CMOS．DMOS)X：艺下50 工艺流程的基础上，仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化．采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件， VHVPMOS器件电学性能的影响．根据仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V 仿真结果确定了优化后的结构尺寸，并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性．测试结果表明，优化后50 HVPMOS的开启电压降低到了_0．98 V，击穿电压提高到了一68V，特征导通电阻降低了13．5％，饱和电流提高了 13．1％，器件的安全工作范围增大，饱和区更加平滑，无明显kink效应．关键词：BCD工艺；HVPMOS；电学性能；流片 43 中图分类号：TN 文献标志码：A 文章编号：1007—2861(2013)06-0567-05 Electrical of50VHVPMOS PropertiesOptimization Basedon Process 0．35 BCD gm ZOU MIN CHU ZHANG Jia-hual， Chu2，LIANG Ta01，TENG Ron91， Xiao—yanl， Jia-qil ofMaterialsScienceand University，Shanghai200072，China； (1．School Engineering，Shanghai 2．Microelectronic RD Center，ShanghaiUniversity，Shanghai200072，China) Abstract：Thisaimsto theelectrical of HVPMOSthe 50V 0．35