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第42卷第5期 微电子学 V01．42．No．5
201 MicroeZecfronfcs 0ct．2012
2年10月
基于CMOS数字工艺的低噪声传感器接口电路
黄卓磊，王玮冰，彭 城，祖秋艳，陈大鹏
(中国科学院微电子研究所，北京100029)
摘 要： 设计了一种应用于超低频率的低噪声MEMS传感器接口电路。该电路利用斩波技术
降低1／厂噪声，并利用MOs电容替代模拟无源元件等方法，使之与数字工艺相兼容。采用cSMC
CMOS 2P3M
CMOS工艺，实现了增益为36
O．5m dB的读出电路。该电路的等效输入噪声功率
dB。电路的功耗为10mw。
谱密度为13“V／~／Hz，3阶交调失真为一33．6
关键词： 读出电路；斩波技术；CM()S数字工艺
中图分类号：TN431．1 文献标识码：A 0605一04
文章编号：1004—3365(2012)05
ALow
NoiseSensorInterface on
CircuitBased CMoSProcess
Digital
HUANG
Zhu01ei，WANG
Weibing，PENGCheng，ZUQiuyan，CHENDapeng
(，nsfif“托D／‘M￡fr。P如(frozcs，T^e(巩i”esPo-厂SfieHfes，BF
Afademy zji”譬100029，P．R．(■!n“)
Alownoiseinterfacecircuitin sensor f。rultralow was
Abstract： MEMS system frequencysignalpresented，in
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1／．厂noise，and replaceanalogpassive
onCSMC’s 2P3M circuitwith36dBof was
CMOS process，asensing fabricated．
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