基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计.pdfVIP

高技术通讯2012年第22卷第10期：1064～1069 doi：10．3772／j．issn．1002-0470．2012．10．010 GaAs 基于2Vom HBT工艺的L型分布式放大器设计① 张瑛②一+ 王志功③+ 徐建+ (’东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210046) (”南京邮电大学电子科学与工程学院 南京210046) 摘要为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2txm砷化镓(GaAs)异质结双 极晶体管(HBT)工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L 型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带宽达到 波损耗小于一14dB，输出回波损耗小于一8．8dB，表现出了高增益和大带宽的特性。 关键词分布式放大器，人工传输线，异质结晶体管，超宽带(UWB)，砷化镓(GaAs) 0 引言 电子科技大学的程知群等人采用栅长为1斗m的低 随着无线通信技术的迅猛发展以及数据传输率 electron transistor， 的不断提高，通信系统及其它电子系统对放大器的 子迁移率晶体管(high mobility 带宽性能提出了更高要求。譬如目前最有发展前景 HEMT)工艺研制了一种新型的低噪声分布式放大 的超宽带(uhra．wideband，UWB)无线通讯技术的工 作频率已覆盖到3．1GHz到10．6GHz之间的7．5GHz 带宽。然而，晶体管的寄生电容效应使得传统放大 据笔者所知，目前国内尚未有采用GaAsHBT工艺 器的带宽受到限制，而分布式放大器利用晶体管的 实现分布式放大器的相关报道。 GaAs 寄生电容构成了人工传输线，能够突破传统放大器 HBT工艺具有衬底损耗相对较小，电流 GaAs 的增益带宽积的限制，在很宽的频带内得到较大的 增益大的优点。本研究基于2¨m HBT工艺设 平坦增益，可广泛应用于设计超宽带无线收发机、高 计了一种采用L型传输线结构的分布式放大器，并 速率装置和光通信系统。目前分布式放大器的相关 在设计中通过在晶体管基极串联耦合电容进一步提 理论及设计方法已成为国内外的研究热点¨‘10|，譬 升了带宽性能。电路所采用的HBT晶体管截止频 如在噪声理论研究方面，德黑兰大学的Hamidi等人 率．疗为35GHz，而设计的分布式放大器带宽达到 提出了相对简单而准确的噪声指数表达式，并将其 应用到金属一半导体场效应晶体管(metal—semicon—6．6dB，带内增益平坦度为±0．5dB，输入回波损耗 ductorfieldeffect transistor，MESFET)及异质结双极小于一14dB，输出回波损耗小于一8．8dB。芯片面积 为1．65mm×0．72mm，功耗为79mW。 晶体管(heterojunctionbipolartransistor，HBT)工艺 中，简化了分布式放大器的噪声分析¨J。电子科技 大学的焦世龙等人采用截止频率．厅仅为30GHz的1 HBT分布式放大器基本原理 0．5“m GaAs赝晶高电子迁移率晶体管(pseudomor— electron transistor，PHEMT)工艺研异质结双极晶体管(HBT)的等效小信号模型 phichigh mobility 制了一种光接收机分布式前置放大器，该放大器的