结构陶瓷蠕变损伤的发展续Ξ.PDF

第 27 卷 　第 3 期 力　学　进　展 Vol 27 　No 3 1997 年 8 月 25 日 ADVANCES IN MECHAN ICS Aug25 , 　1997 ( ) 结构陶瓷蠕变损伤的发展 续 Kwai S. Chan 　　Richard A. Page 美国德克萨斯 San Antonio 西南研究所 摘 　要 　结构陶瓷蠕变断裂或因遍及材料内部的晶界孔洞的成核、生长及合并引起 , 或因其内 部的主要缺陷的生长引起. 本文综述了用小角度中子散射 ( SANS) 方法得到的最新实验结果和 立体映象应变分析 ; 并将它们用于回答大量的与上述两种机理有关的关键性问题. 用 SANS 结 果及其它相关的研究结果考察了晶界孔洞的成核、生长过程. 演示并讨论了孔洞的随机性. 把 蠕变裂纹生长过程描述为直接质量传输过程或损伤区生长过程. 提出了与损伤区生长有关的新 的立体映象应变分析结果 , 并用其说明裂纹生长过程和生长门槛值. 关键词 　陶瓷 , 蠕变损伤 , 蠕变断裂 , 晶界孔洞 , 孔洞成核 3 　局部损伤 3 1 　陶瓷蠕变裂纹生长的特征 20 多年来 , 许多学者研究了高温下承受 持续载荷陶瓷材料中的裂纹生长动理学问 题[71～89 ] . 早期裂纹生长研究或基于用带有机 械加工裂缝的双扭试件 , 或利用压痕诱导裂 纹的试样. 较近的工作主要利用带疲劳预制 裂纹的单边切口试样. 这些研究结果被称为 承受持续载荷陶瓷材料的慢速裂纹生长或蠕 变裂纹生长的响应. 这些裂纹生长数据一般 以 v - K 曲线的形式给出, v 为裂纹速度 , K 为 I 型裂纹的应力强度因子. 在双对数坐标 图 10 　具有三个特征生长区的陶瓷蠕变裂纹生长曲线示意 下 , v - K 曲线是 S 形曲线. 它可以分成三 图. I , 近门槛值区 ; II , 幂律函数生长区 ; III , 快 个特征区域[85 ] , 如图 10 所示. 在 K 的低值 速断裂区. 幂律函数生长区的规律为 v/ v 0 = ( K/ K ) α c 感谢原文作者 Kwai S . Chan 教 授 和 The American Ceramic Socity 的 W . Paul Holbrook 教 授 惠 见 本 译 文 发 　 表. 4·05 · © 1995-2004 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 区域内, 存在生长门槛值 Kth , 低于这个门槛值 , 裂纹不能扩展 ; 在 K 的高值区 , 当 K 趋 近于它的断裂韧性 Kc 时 , 裂纹扩展速度随着 K 值增加而迅速增加. 当 K 值处于中间范围 时 , v - K 遵循下式所示的指数关系[88 ] :