硫化温度对硫化FeS制备二硫化铁薄膜的影响研究.pdfVIP

硫化温度对硫化FeS制备二硫化铁薄膜的影响 钟南保 程树荚 (福州大学物理电信学院电子科学与技术实验宣 福州 350002) 摘要：首先用真空热蒸发法在玻璃种垫上淀积约为200rm厚的硫化亚铁薄膜，然后将英硫化 制得二硫化铁(黄铁矿)薄膜．为了研究硫化温度在碱化过程中对制备二硫化铁(黄铜矿)薄膜的 件下制备的二硫化铁薄膜做了XRD，扫描电镜分析了薄膜的成分和表面彤貌．同时也测量了所制备 的二硫化铁薄膜的光吸收系数、电阻率． 关键词：二硫化铁：薄膜：硫化：XRD 1．引言 正交晶系的二硫化铁即黄铁矿，由于其成分含量丰富、廉价，无毒。加上其具有合适的禁带宽 非常有应用前景的环保型太阳能电池材料pI，因此对二硫化铁的研究受到广泛的关注．目前已有多 种制备=硫化铁薄膜的方法：硫化铁膜法口删．粒子束磁控溅射法c…。化学气相输运法(CVT)Ill】． 膜并不是非常理想。所以到目前为止用二硫化铁制成的太阳能电池的转化效率都很低n9】，和其理论 值比较还有很丈差距。制各出来的膜主要是由于杂质和缺陷多、成分偏离标准化学配比，从而导致 性能下降【2I】。另外一些毒恪方法所需设各复杂或者制各时间太长或者制各过程复杂而难以控制。理 论上的研究也并没有达到很完善的地步．经典的非本征半导体电导理论还不能很好地解释所制备的 二硫化铁薄膜的电阻率随温度的变化规律刚。因此寻找一种既简便易行又能制备出性能优越的二硫 化铁的制备方法是非常必要的。硫化FeS薄膜制备二硫化铁所需的设各并不复杂、制各时间和其它 方法比较也大为缩短，而且能够很容易制备高性能的二硫化铁。 ’ 这种方法主要包括两步：首先用热蒸发法在导电玻璃衬垫上制得硫化亚铁薄膜；然后将硫化亚 铁薄膜硫化。 2．实验 2．1硫化亚铁薄膜的制各 薄膜。蒸发材料是硫化亚铁粉末(分析纯)。导电玻璃基片首先经流动的去离子水清洗5次，接着 分别在去离子水、丙酮、酒精中超声波清洗各3次。最后用氮气吹干后放入温度为120C烘箱中烘 大约30min。 2．2硫化亚铁薄膜的硫化 将硫化亚铁薄膜和硫粉放入直径为50mm的玻璃管中密封抽真空。放入的硫粉数量稍多于完全 2．3硫化后的薄膜的测量分析 对硫化后所制得的薄膜做了XRD、扫描电镜分析．并测试了薄膜的光吸收系数、电阻率． 3．结果分析 在温度为300℃、400℃、50012、600℃下将FeS薄膜硫 一”。。 “．。一c：”一。 化相同时间而制得的薄膜的XRD的衍射谱图如图1所示。300 、“k^L．^．^。I：=．：：c：： ℃时制得的薄膜中不但包含黄铜矿，而且包含部分白铁矿．如 图1所示(图中未标晶面的为白铁矿所对应的衍射峰)．当温 度达到400℃时，白铁矿全部转化为黄铜矿。衍射峰更明显， 400：!C 拦{3麟,0^)己：跫．1．|l|1舜1 峰的强度更大。根据温度为500(2、600(2的衍射谱图可以看 出：500℃的衍射峰强度比400℃时的衍射峰强度更大：600℃ ‘m， 13Il，500℃ ’条件下的衍射峰强度又比500℃时的衍射峰强度更大。说明更 高的硫化温度条件能够改善薄膜的质量。硫化温度对薄膜的表 ￡麟：■L妊艇 面结构也有重要影畸。图2(1)、(2)、(3)、(4)对应的温度分别 是300℃、400℃、500℃、600。 12∞， *III∞OC 30012时制备的薄膜的颗粒细小，而且大小不一(如图2(1) tm’