数电8章 半导体存储器.pptVIP

数字电 路 第八章 半导体存储器 （ 1 ） 第八章（ 1 ）完 Chpt.8 End 存储矩阵 三态缓冲器 地址译码器 数据输出 地址输入 一、固定ROM 固定ROM主要由地址译码器、存储单元矩阵和输出缓冲器三部分组成。 字线 容量=字线×位线 位线 存储或 矩阵 字线 位线 1、 二极管ROM—以4×4为例 存储 单元 1011 1110 0011 1100 译码与 矩阵 输出缓 冲器 任何时刻只有一根字线为高电平。 2、 三极管ROM和NMOS管ROM 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是，只能改写一次，称为 PROM。 字线 位线 熔断丝 若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 二、可编程ROM（PROM） 三、可擦除可编程ROM（EPROM） 当浮栅上带有负电荷时，则衬底表面感应的是正电荷，这使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上同样的控制电压，MOS管仍处于截止状态。 SIMOS管利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。 存储单元采用N沟道叠栅管(SIMOS)。其结构如下： 写入数据前，浮栅不带电荷，要想使其带负电荷，需在漏、栅级上加足够高的电压25V即可。 若想擦除，可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15-20分钟。 当浮栅上没有电荷时，给控制栅加上控制电压，MOS管导通. 与EPROM的区别是： 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层。 四、隧道MOS管 E2PROM 可用电擦除信息，以字为单位，速度高，可重复擦写1万次。 与EPROM的区别是: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。 五、快闪存储器 Flash Memory （1） 用于存储固定的数据、表格 （2） 码制变换 六、 ROM的简单应用 （3） 用户程序的存贮 （4） 构成组合逻辑电路 例 1 用ROM实现十进制译码显示电路。 m0 m1 m2 m9 … … 例 2 用ROM实现逻辑函数。 2/4线译码器 A1 A0 m0m1m2m3 D0 D1 D2 D3 例3 电路如图，试画出F波形 CP ROM 二进制加法计数器 F m0m1m2m3m4m5m6m7 Q0 Q1 Q2 * * * * * 存储器分类： RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) SRAM DRAM 固定ROM 可编程ROM OTPROM UVPROM E2PROM 8.1.0 概 述 半导体存储器是用来存储大量二值数据的器件。 RAM是随机存取存储器，在任意时刻，对任意单元可进行存/取（即：读/写）操作。 8.1.0 概 述 RAM特点: 灵活－程序、数据可随时更改； 易失－断电或电源电压波动, 会使内容丢失。 ROM是只读存储器，在正常工作状态只能读出信息，不能随时写入 。 ROM特点： 非易失性－信息一旦写入，即使断电，信息也不会丢失，具有非“易失”性特点。常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 编程较麻烦－需用专用编程器。 8.1.1 RAM的结构与工作原理 存储矩阵用于存放二进制数，一个单元放一位，排列成矩阵形式。 图 8.1.4 存储矩阵 读/写控制电路 地址译码器 数据输入/输出 地址输入 控制信号输入( CS 、R/W) 读/写控制电路完成对选中的存储单元进行读出或写入数据的操作。把信息存入存储器的过程称为“写入”操作。反之，从存储器中取出信息的过程称为“读出”操作。 地址译码器的作用是对外部输入的地址码进行译码，以便唯一地选择存储矩阵中的一个存储单元。 1. RAM的基本结构 图 8.1.4 存储矩阵 读/写控制电路 译码器 数据输入/输出 地址输入 控制信号输入( CS 、R/W) 例如：容量为256×1 的存储器 （1）地址译码器 8根列地址选择线 32根行地址选择线 32 ×8 =256个存储单元 译码方式 单译码 双译码 ---n位地址构成 2n 条地址线。若n=10，则有1024条地址线 --- 将地址分成两部分，分别由行译码器和列译码器共同译码 其输出为存储矩阵的行列选择线，由它们共同确定欲选择 的地址单元。 若给出地址A7-A0=001 00001，将选中哪个存储单元读/写？ 图 8.1.5 若容量