模拟电子线路第二章(2).pptVIP

* 2、分压式偏置电路 VS=IDQRs * RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 使FET工作于饱和区 * 二、场效应管的小信号模型 为了得到交流小信号 在Q点上求全微分 * ，它正对应于场效应管的转移特性在Q点处 对 的控制作用,称之为跨导。 * 三、场效应管放大器的解析法 共源极放大器 求其电压增益、输入电阻、输出电阻的表达式 * 画出小信号等效电路 交流通路 小信号等效电路 求电压增益 gs L D ds gs m V R R r V g ) // // ( - = ) // // ( L D ds m R R r g - = * 输入电阻、输出电阻 共源电路属于反相电压放大器，其增益较大，输入电阻较高，输出电阻由RD决定 * 例：如图所示的共源放大器。求其电压增益、输入电阻、输出电阻的表达式。 * 解： 作出交流通路和小信号等效电路 D R R ? 0 * 2、共栅极放大器* ——由于栅极与沟道之间的高阻未发挥作用，所以很少用 3、共漏极放大器 * (1) 直流分析 直流通路 G D S VGSQ= VG－VS= VG－IDQR VDSQ= VDD－IDQR * (2) 交流分析 交流通路 小信号等效电路 ①电压放大倍数 式中RL′= ≈R//RL ≈1 * ②输入电阻 ③输出电阻 G D S 小信号等效电路 G S D (忽略Rs上压降) * 共漏电路又称源极输出器，其输出电压和输入电压同相，电压增益接近1，输入电阻高，输出电阻小。 * 例1、判断下列电路能否正常工作。 不能，因为VGS0 能 不能，因为VGS=0，没有导电沟道 不能，因为VDS0 * 三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD be L L be L be L //RC + = CB ) 1 ( ) (1 = CC //RC = CE r R β A R β r R β A r R β A v v v //RE + + //RE + - ： ： ： L m L m L m L m + = CG 1 = CD = CS R g A R g R g A R g A v v v ’   + ’  ’ - ： ： ： 电压放大倍数 * 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻Ri CB: CC: CE: CS： Rg+ (Rg1 // Rg2 ) CD：Rg+ (Rg1 // Rg2 ) CG：R//(1/gm) RE//[rbe/(1+?)] * 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻Ro CS： RD CD：R//(1/gm) CG：RD * 例:已知电路参数如下图所示，FET工作点上的互导 (1) 画出小信号等效电路；  (2) 设FET的rds很大，可视为开路，求电路的电压增益Av，放大器的输入电阻Ri以及输出电阻Ro。 * (1)小信号等效电路图： (2) * * 场效应管的其它应用 1. 场效应管有源电阻 场效应管工作于饱和区，直流电阻和交流电阻都和工作点Q有关。 * * 解： * 2. NMOS倒相器 3-5-4 图3-5-4 场效应管工作于截止区或非饱和区。 * * 复合管：达林顿管（Darlington pairs） 管子都有合适的电流通路， 且处于放大状态。 复合管电流放大系数大 相当于前面管型 * 在曲线的AB段，VDS较小。当VDS变化时，沟道的形状变化不大，即沟道电阻变化不大，因此当VDS增加时，电流iD随之线性增加。即AB段近似为直线段。 在曲线的BC段,当VDS增加时,沟道的形状变化较大，随着VDS增加沟道变窄，沟道电阻变大，因此电流随电压的变化不再是线性的，此时iD 随VDS的增加而缓慢的增加，因此BC段有些弯曲。曲线变化到C点附近时，对应着沟道的上端靠近漏极处出现了夹断点的情况，此时夹断点到源极之间的电压等于 |Vp| CD段曲线随着VDS的增大略微向上倾斜，原因是：当VDS增大时预夹断区略有增加，导电沟道的长度略有减小，沟道电阻减小，因此iD略有增加。 曲线变化到D点之后，如果VDS再增加，则会使夹断点附近的空间电荷区击穿，使电流突然增大，对应D点的VDS称为击穿电压用VBRDS 表示。因此结型场效应管工作时，VDS要小于VBRDS。