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Lab-3. Cadence --- P-cell 技巧 当我们在对一电路画Layout时，若电路很大，便需要画很多的MOS，工作将变的繁琐，但只要利用P-cell的功能，建立常用的cell，便可省下许多繁琐工作，这便是P-cell的好处所在。当我们电路很大时，需要画很多不同size的MOS，以下便教导各位建立一个MOS的P-cell，当我们需要一个MOS时，只要呼叫出这cell，填入所需数据(W, L, gate number)，便立即得到想要的MOS。 先绘出一个标准的nMOS(使用0.35?m制程，尽量接近坐标原点，size为最小)，如图一。 PS.” /chip3/virtuoso/add035 /”目录内有已建好的nMOS，可以直接套用。 步骤一：键入”cp –r /chip3/virtuoso/add035 ~/.”将档案COPY到userhome内。 步骤二：键入”~/add035/icfb ”，已开启cadence。 步骤三：开启pcell (library)下nmos(pcell)的layout(view)，如图一。 图一 点选LSW窗口中的Edit=Set Valid Layers…，会出现Set Valid Layer窗口。 寻找一个Layer，名为stretch，点选stretch右边之小方块，在点选OK，之后窗口LSW会多一个stretch的选项。 点选Layout Editing窗口中的Tools=Pcell，此时窗口中会多一个Pcell的选项。 点选Layout Editing窗口中的Pcell=Stretch=Stretch in X…后，在Ploy上牵出一条垂直线，如图二，之后会出现Stretch in X窗口，在”Name or Expression for Stretch”内填入”length” ，在”Reference Dimension”内填入”0.35”，且点取”Stretch Horizontally Repeated Figures”，再点选OK，如图三。 P.S.若步骤五之垂直线划错，可以直接点取此直线，再按Delete，便可删除再重划，若欲再修改Stretch in X窗口内数据，可以点选Layout Editing窗口中的Pcell=Stretch=Modify…后，再于垂直线处连续点两下，Stretch in X窗口便会再出现。 图二 图三 点选Layout Editing窗口中的Pcell=Parameters=Summarize，会出现Pcell Parameter Summary窗口，显现出做了哪些Pcell之设定，之后可以随时呼叫出来检查设定是否正确。 重复步骤5，点选Layout Editing窗口中的Pcell=Stretch=Stretch in X…后，在n+上牵出一条垂直线，如图四，之后会出现Stretch in X窗口，在”Name or Expression for Stretch”内填入”stretch”，再点选OK，如图五。 图四 图五 点选Layout Editing窗口中的Pcell=Repetition=Repeat in X…后，点选右边的contact层、Metal层与中间的Ploy层，如图六，点选完后，在Ploy层上连续点两下，之后会出现Repeat in X窗口，在Repeat in X窗口中，于”Stepping Distance”中填入(length + 1)，代表每间隔(length + 1)，重复所选的Layer，length为一欲输入变量，于”Number of Repetitions”中填入gate，代表重复gate次所选的Layer，gate为一欲输入变量于”Dependent Stretch”中填入stretch，代表以直线stretch为起点做延伸，stretch为步骤6之直线，于”Adjustment to Stretch”中填入((gate – 1) * pcStepX)，代表对于直线stretch所跨越之Layer，做延伸((gate – 1) * pcStepX)，pcStepX代表” Stepping Distance”项之值，再点选OK，如图七。 P.S.切记，在步骤8中，所有的运算是，如 “+” 、 “-“ 、 “*” 、 “/”之前后，都要有一个空白。若步骤七设定错，欲删除，可以点选Layout Editing窗口中的Pcell=Repetition=Delete后，再点选之前设定之Layer连续点两下，欲再修改Repeat in X窗口内数据，可以点选Layout Editing窗口中的Pcell= Repetition =Modify…后，再点选之前设定之Layer连续点两下，Repeat