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芯片制程简介 LED厂 工程部 LED的主要制程可以分为三个阶段:前段、中段、后段（也称：上游、中游、下游。专业术语为：材料生长、芯片制作、器件封装） 原料开始 多晶半导体 单晶成长 晶圆(基板) 磊晶生长 晶片制作 晶粒制作 封装 上游 中游 下游 Ga/As 原料合成 蒸馏还原，形成GaAs多晶 以各种长晶法(如柴氏长晶法),成长GaAs单晶棒(ingot) 固晶、焊线、封胶、分光、TYPING等 将单晶棒锯切成片状晶圆,并加以抛光处理 将磊晶晶圆减薄到期望厚度(一般基板减至220~250μm, 蓝宝石基板为80μm),并切成晶粒. 以各种磊晶技术(如MOCVD),将LED结构成长在晶圆上 利用金属化制程,蚀刻制程和微影制程,制作电极图案 基座 基座 基座 晶粒 固晶焊線 封裝 基座 (Diffusion) 半导体的特性 1.晶格(lattice) 原子在晶体中周期性的排列称为晶格,而晶格所含之排列周期性的的空间称为单胞(unit cell)也叫晶胞. 晶格决定了晶体的材料性质,也决定光电特性. 固体材料依其结晶性, 可分为三种: ①非晶(amophous) ②多晶(poly-crystalline) ③单晶(single crystal). ①非晶 ②多晶 ③单晶 2.晶体结构 ①闪锌矿结构为立方晶系,如砷化镓(GaAs) ②纤维锌矿结构为立方晶系,有二个晶格常数(a,b),如氮化镓(GaN) 4.光电导体的二个重要参数  a. 能隙 eV 能隙 ,导电能力  b. 晶格常数 ?  晶格共价半径? , 导电能力 3.能隙(Energy Gap 或 Band Gap) 导电带与价电带之间的差量,称为能隙. 5.晶格匹配 a. 光电导体,由二层以上半导体材料堆叠在半导体基板而形成,堆叠在基板上的半导体材料为磊晶层. b.磊晶层与基板晶格常数相同或接近称谓为晶格匹配,反之为晶格差配. 价电带 Eg ~ 1-3eV 导电带 磊晶层 基板 磊晶层 基板 a.晶格匹配 b.晶格差配 半导体材料 1.半导体材料的分类; 依构成的元素可分为: ①元素半导体 如:硅(Si) ②化合物半导体 化合物半导体又可分成: ①四-四族化合物 如: 碳化硅(SiC) ②三-五族化合物 如: 砷化镓(GaAs) ③二-六族化合物 如: 硒化锌(ZnSe) ④四-六族化合物 如: 硫化铅(PbS) 若依构成元素的数量分,化合物半导体也可分成为: ①二元化合物半导体 如:砷化镓(GaAs) ②三元化合物半导体 如:砷化铝镓(AlGaAs) ③四元化合物半导体 如:磷砷化铟镓(InGaAsP) 周期 II III IV V VI 2 　 硼 B 碳 C 氮 N 氧 O 3 镁 Mg 铝 A1 矽 Si 磷 P 硫 S 4 锌 Zn 镓 Ga 锗 Ge 砷 As 硒 Se 5 镉 Cd 铟 IN 锡 Sn 锑 Sb 碲 Te 6 汞 Hg 　 铅 Pb 鈊 Bi 　 单晶成长 ①柴可拉斯基液封式长晶法 (LEC) ②布吉曼水平式长晶法 (HB) ③垂直梯度冷却式长晶法(VGF) 好 差 好 尺寸可增加性 劣 差 好 均匀性 高 中等 低 应用 高 少 非常少 晶片缺陷 LEC HB VGF 　 三种长晶法的对比 磊晶 磊晶在半导体的应用,指在某一晶格上成长另一完整排列的晶格,其系统主要包含4部份。 材料供应系统 加热系统 真空系统 气体供应系统和成长反应腔