立方相GaN外延层中六角相和微孪晶分布的极性特征研究.pdfVIP

2000年 10月 广‘西 ·北海 第七届全国固体称簇学术会议 立 GaN 延层中六角相和 晶分 的极性特征 渠波。MP新和①王玉田①高俊华邹RJ仪纷世鸣①杨衅梁骏普Z} (①中国科学院半导体研究所，北京100083; ②中国地质科学院矿床地质研究所，北京100037) 摘要 本文采用湿法腐蚀法向接确定GaN外延层的极性，利用x射线四圆衍射仪测绘立 方相GaN外延层中六角相的{1010}极图、立方相的{{1111极图和不同人射方向时的倒易空间 mapping,结果表明与平行于[[110〕晶向的(111)面‘和(1111，面相比较，平行于{do】晶向的 (111)。面和(111)。面上容易形成六角相和微孪晶。 前言目前立方相GaN外延层的晶体质量仍然受到混相等间题的困扰。由于六角相和立方相 微孪晶的含量和分布特征将极大的影响立方相G，外延层的光学和电学性WPffu对六角 相和立方相微孪晶的形成机理、分布特征与含量控制的研究得到重视n1而且Ga13作为重 要的111-V族化合物，其夕诞层结构中同样存在着极性的特征。在外延层中六角相和微孪晶 的分布特征上也必然有相应的反映，并将对光电器件的光谱特性造MR大的影响。因此N 人研究六角相和徽孪晶分布的极性特征，对于理解其形成机理、确定相应的生长控制手段 有着重要的实际意义。 本文采用湿法腐蚀法间接确定了GaN外延层的极性并利用多功能x射线四圆衍射仪测 绘立方相GaN外延层中六角相和立方相极图和不同人射方向卞的mo易空间mapping，有效地 分析和解释了六角相和立方相微孪晶的极性分布特征。 实弋嚣而蚀法。延卜衬底GaA。的;、，面.Vi1，、GaN0(01)面的。。 按照标准的光刻工艺进行。腐蚀液由浓度为，8%的硫酸(重量山、浓度为30%的双氧水和去 离子水组成，三种组分的体积比为1:1:5，室温下腐蚀2分钟。由于这种腐蚀液在腐蚀GaAs 时表现出各项异性，即沿不同的晶向腐蚀，其腐蚀台面或沟槽的形状很不相同。对于GaAs 的(001)面，如果沿晶向11101或[110〕晶向腐蚀则为倒台面形状，如果沿[110〕或[[1101晶向 腐蚀则为0V‘沟槽正台面形状12-31。根据闪锌矿结构的原子堆垛特征，按照同样的腐蚀规律. 对于GaN外延表面(001)面，如果沿[110]或[面〕晶向腐蚀则为V‘e沟槽正台面形状，如果 沿晶向1〔10〕或1〔10)晶向腐蚀则为倒台面形状。正台面对应的两个面分别为(111)。面和 (孤 ‘面，倒台面对应的两个面分别为((111).面和{讯)。面。 极图的侧绘是在多功能X射线四回衍射仪上进行的。图1(a)、(b)是GaN/GaAS(001) 外延层六角相的{1010}极图和立方相的(111)极图。X角为35.26.时{1010》的，扫描，X 角为15.790时{111}的0扫描以及x角为54.74时‘{111)的po扫描如图1(c),{d),(e)所 示。图1表明当X射线沿[110)或1而]方向入射时，六角相{1咖 }衍射峰和立方相微孪晶 的{111)衍射峰的强度较高;当X射线沿[110)或[110】方向人射时，六角相(1010}衍射峰和 立方相徽李晶的{111}衍射蜂的强度较低。 图2是在多功能X射线四口衍射仪上侧绘得到的倒易空间mapping,(a)为X射线沿[110] 2侧X)年一1奋月井广西。北海 第七届全国固体薄膜学术会议 然誉蒸嘿答撇黔熏薰凝一暮黑 翼薰翼{一簧蒸粼蒸蒸赘翼 向上所刹姑界，但‘某极性特征没有六角相明显，同时文方相徽孪晶的含量比六角相要低得 多. 讨论 事实上，由于立方相G胡具有闪锌矿型结构，具有非中心对称性，就是原子密度相同 在生长方向上的(In)Ga 的表面也可能具有并不相同的化学性质。但以GAa。{。。1)为衬底时， 川〔 )抽 面和(111飞A昂面会出现生长速率的差异，进而造成相应方向上外 的差异， 即自pping