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半导体光催化剂及其改性技术进展精选
第 5 卷第 3 期 环境科学进展 V o l. 5 , N o. 3
1 9 9 7 年 6 月 ADVAN CES IN ENV IRONM EN TAL SC IEN CE June . 1 9 9 7
半导体光催化剂及其改性技术进展
张彭义 余 刚 蒋展鹏
(清华大学环境工程系, 北京 100084)
摘 要
本文介绍了用于水处理的半导体光催化剂的作用原理, 综述了近年来有关贵金属淀积、
金属离子掺杂、表面光敏化、半导体复合和粘土交联等半导体改性技术的研究, 并对其原理进
行解释和说明。
关键词: 光催化 光催化剂 半导体 半导体改性
1972 年 Fu jish im a 和Honda [ 1 ] 在N atu re 杂志上发表的关于 T iO 2 电极上光分解水的
论文可以看作一个多相光催化新时代开始的标志。从那时起, 来自化学、物理、材料等领域
的学者围绕太阳能的转化和储存、光化学合成, 探索多相光催化过程的原理, 致力于提高
光催化的效率。目前, 光催化消除和降解污染物成为其中最为活跃的一个研究方向。过去
十年中, 在水、气和废水处理方面的光催化文献每年平均超过 200 篇, 由A SM E 等组织的
国际太阳能会议每年发布许多有关光催化的研究报告, 光催化的专著和综述文章[ 2- 12 ] 越
来越多。
光催化剂是光催化过程的关键部分, 光催化剂的活性和固定化是光催化能否实用的
一个决定性因素。目前在多相光催化研究中所使用的光催化剂大都是半导体。几乎在半
导体的光催化特性被发现的同时, 就开始试验各种半导体的光催化活性, 并对其进行改性
研究。在半导体光催化剂的研究中, 使用了诸如电子顺磁共振、激光闪光光解、 射线衍
X
射、 射线光电子谱、透射电子显微镜等表征检测手段, 研究影响催化剂性能的因素; 同时
X
采用了多种催化剂制备方法, 如溶胶凝胶法、化学气相淀积法、等离子体气相淀积法、超
声雾化热解等, 涉及多个学科, 应用多种技术。本文对半导体光催化剂的作用原理和改性
研究加以综述
一、半导体的光催化作用原理
1 半导体光激发带间跃迁和量子效率
与金属相比, 半导体能带是不连续的, 价带( ) 和导带( ) 之间存在一个禁带。用
VB CB
作光催化剂的半导体大多为金属的氧化物和硫化物, 一般具有较大的禁带宽度, 有时称为
国家教委博士点基金
张彭义等: 半导体光催化剂及其改性技术进展 5 卷
2
宽带隙半导体。如被经常研究的 T iO 2 , 在pH 1 时的带隙为 32eV (通常将禁带宽度(E g )
3eV 作为划分半导体和绝缘体的界限, E g 小于 3eV 的称为半导体, 但这种划分并不是绝
对的[ 13 ] ) , 常用半导体的禁带宽度以及与标准氢电极电位、真空能级的相对位置如图 1 所
示[ 10, 11, 14, 15 ]。当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时, 半导体的价带电子发生
带间跃迁, 即从价带跃迁到导带, 从而产生光生电子和空穴。半导体的光吸收阈值与带隙
( ) [ 11 ] ( )
具有式 1 的关系 , 从 1 可知, 常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域。
1240
g ( ) =
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