嵌入式系统精品教学（田志忠）PHILIPS ARM 微控制器 Flash 的快速访问.pdfVIP

广州周立功单片机发展有限公司 Tel ：（020 38730977 Fax http：// PHILIPS ARM 微控制器Flash 的快速访问 广州周立功单片机发展有限公司 如今，绝大多数电子产品中都包含一片或多片微控制器 （MCU ）。在高容量的应用中，MCU 通常被嵌 入到高集成度的特定 IC 中。量越大，成本越低。MCU 功能强大，同样适用于小批量的应用。由于 MCU 固有的可编程特性，复杂的MCU 也被广泛应用。 由于4 位和8 位微控制器是标准器件，因此供应商都有现货供应，这类微控制器的用量也随之增大。 32 位MCU 的情况则不同，它们内部包含多种逻辑和模拟功能以及各种类型的存储器，需要更成熟的半导 体技术。但是，随着技术水平的发展，集成度也随之提高，32 位的ARM 结构完全可以被集成到标准微处 理器中。 ARM 的片内Flash 存储器 为了充分利用ARM 内核强大的处理功能，应当使用快速的程序和数据存储器。但是，静态RAM 足够 快，完全可以支持一个周期内最高速度的读写访问，因此，Flash 存储器的速度显著降低。 ARM7TM 系列内核要求每个周期执行一条指令。在0.18um 的技术工艺中，器件的工作频率约为80MHz， 即每 12.5ns 执行一条 32 位的指令。但是，执行一次 Flash ROM 访问需要 50ns，使能的最大工作频率为 20MHz 。为了弥补这一点，半导体制造商使用了许多不同的方法，其中一种就是在微控制器中增加以下功 能： 1. 将最大时钟频率限制为20MHz 2. 访问Flash 过程中插入等待周期 3. 使用一个指令缓存区 4. 将程序代码从Flash 复制到RAM 前两种方法适用于要求低成本的系统；但是，由于CPU 速度和过低的存储器寻址速度两者不对称，微 处理器会浪费一些特性。 使用指令缓存区可以增强微控制器的整体性能，但在微控制器系统中仍会遭遇很多问题。在靠近快速 RAM 的固定片内区域内，缓存区的不可确定行为就成为一个问题，因为在实时应用中，要求相似区域的程 序流程是可知的。 第4 种方法，代码在执行前复制到RAM 后，程序可以最快的速度运行。但是，由于RAM 必须要映射 整个Flash 存储器，因此RAM 的集成成本太高。一个静态RAM 单元由6 个晶体管组成，比flash 单元需 要更多的空间。优化动态RAM 单元的存储器技术并不适用于微控制器。 外部RAM 需要32 位的数据总线和高达32 位的地址总线 （取决于存储器的大小）以及一些同步信号。 可用的数据和地址总线使系统存储器的大小变得更加灵活，但要求尽可能少元件的低成本系统感觉不到这 一点。而且，应用中无需使用的微控制器管脚被拉高。将外部存储器的总线宽度限制到16 位可以降低成本， 但违背了通过更快地访问存储器来增强性能的目的。 微控制器管脚的数目取决于应用所需的I/O 口功能。在8 位器件中，有一些器件系列除了I/O 管脚外， 只有2 个电源管脚，这就意味着，诸如振荡器和复位电路等都完全被集成到片内。Philips LPC900 系列就是 这种情况。32 位的控制器通常可以构成100 脚以上的封装。将32 位的ARM7TDMI-S 内核集成到微处理器 中，一方面可以增强处理器的计算能力，另一方面，8 位微处理器的低管脚数思想被延伸到了32 位的微控 制器中（图1）。 1 广州周立功单片机发展有限公司 Tel ：（020 38730977 Fax http：// 要寻求一种方法，能将指令从内部Flash 存储器更高效快速地提取到ARM 内核。因此而产生了一个存 储器加速模块（MAM ）。 存储器加速模块 MAM 的任务就是在一条指令被需要时立刻将下条指令提供给 CPU 。通常，程序和数据存储器的宽度 设计成与处理器字的宽度相同，ARM7 系列内核为32 位。但为了降低成本，系统经常使用 16 位宽的存储 器和外部存储器，从而造成器件性能的下降。提高系统速度的最好方法就是将Flash 存储器加宽到128 位。 这样，每访问一次存储器就可以提取4 条32 位的ARM 指令或8 条16 位的Thumb 指令。然而，CPU 仍然 必须等到存储器访问结束后才能提取