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第5 章 离子注入 第5 章 离子注入 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离 成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后， 注入到硅中（称为“靶” ）而实现掺杂。 “靶” 离子束的性质 离子束的性质 离子束是一种带电原子或带电分子的束状流，能被电场或 磁场偏转，能在电场中被加速而获得很高的动能。 离子束的用途 离子束的用途 掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切 掺杂、 割等。不同的用途需要不同的离子能量E ， E 10KeV ，刻蚀、镀膜 E = 10 ~ 50KeV ，曝光 E 50KeV ，注入掺杂 离子束加工方式 离子束加工方式 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式（扫描方式，或聚焦离子束(FIB) 方式） 掩模方式是对整个硅片进行均匀的地毯式注入，同时象扩 散工艺一样使用掩蔽膜来对选择性区域进行掺杂。扩散工艺的 掩蔽膜只能是SiO 膜，而离子注入的掩蔽膜可以是SiO 膜， 2 2 也可以是光刻胶等其他薄膜。 掩模方式用于掺杂与刻蚀时的优点是生产效率高，设备相 对简单，控制容易，所以应用比较早，工艺比较成熟。缺点是 需要制作掩蔽膜。 Low energy High energy Ion implanter Low dose Ion implanter High dose Fast scan speed Slow scan speed Dopant ions Beam scan Beam scan Mask xj Mask Mask Mask xj Silicon substrate Silicon substrate a) 低掺杂浓度与浅结 b) 高掺杂浓度与深结  I t 注入剂量决定掺杂量，Q 0 N ( x )d x A qZ 注入能量决定结深。 聚焦方式的优点是不需掩模，图形形成灵活。缺点是生产 效率低，设备复杂，控制复杂。聚焦方式的关键技术是 1、高亮度、小束斑、长寿命、高稳定的离子源； 2、将离子束聚焦成亚微米数量级细束并使之偏转扫描的 离子光学系统。 5.1 离子注入系统 5.1 离子注入系统 离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气体有 离子源： BF 、AsH 和PH 等。 3 3 3 质量分析器：不同的离子具有不同的质量与电荷，因而在 质量分析器： 质量分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质 离子，且离子束很纯。 加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该加速能量 加速器： 是决定离子注入深度的一个重要参量。 中